Transistor MOSFET BSC112N06LD
de potencia

Transistor MOSFET - BSC112N06LD - Infineon Technologies AG - de potencia
Transistor MOSFET - BSC112N06LD - Infineon Technologies AG - de potencia
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Características

Tipo
MOSFET
Tecnología
de potencia
Corriente

57 A

Tensión

60 V

Descripción

Ventajas: Doble encapsulado Super SO8 para alta densidad de potencia (huella más pequeña) Resistencia térmica superior Alta temperatura de funcionamiento de hasta 175°C Alta inmunidad al disparo gracias a Qgd/Qgs<0,8 Revestimiento sin Pb, conforme a RoHS Posibles aplicaciones SMPS Carga inalámbrica inductiva Conmutadores de carga Sistemas de gestión de baterías Accionamientos de BT

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ELECTRONICA 2026
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