Transistor MOSFET BSP171I

de potenciade conmutaciónde avalancha

MOSFET de potencia de canal P de grado industrial en encapsulado SOT223, que reduce la complejidad del diseño en aplicaciones de potencia media y baja Los MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™ son ideales para aplicaciones de conmutadores de carga, gestión de baterías y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de los MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™ es que simplifican la complejidad del diseño en aplicaciones de potencia media y baja. Su fácil interfaz con la unidad de microcontrolador (MCU), su conmutación rápida y su resistencia a la avalancha hacen que los MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon sean adecuados para aplicaciones que exigen alta calidad. Características Baja resistencia en estado activo Probados al 100 % contra avalanchas Nivel lógico Recubrimiento de plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS Certificados para aplicaciones industriales Ventajas Fácil interfaz con la MCU Mayor eficiencia con cargas bajas Conmutación rápida Resistencia a la avalancha La mejor calidad y fiabilidad de su clase