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- Transistor MOSFET
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Transistor MOSFET BSP170Ide potenciade conmutaciónde avalancha
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Características
- Tipo
- MOSFET
- Tecnología
- de potencia, de conmutación
- Otras características
- de avalancha
- Corriente
-3,2 A
- Tensión
-60 V
Descripción
Los MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™ son ideales para aplicaciones de conmutadores de carga, gestión de baterías y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de los MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™ es que simplifican la complejidad del diseño en aplicaciones de potencia media y baja. Su sencilla interfaz con la unidad de microcontrolador (MCU), su conmutación rápida y su resistencia a la avalancha hacen que los MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon sean adecuados para aplicaciones que exigen alta calidad.
Características
Baja resistencia en estado activo
Probados al 100 % contra avalanchas
Nivel lógico
Recubrimiento de plomo libre de plomo; conforme a la directiva RoHS
Certificados para aplicaciones industriales
Ventajas
Fácil interfaz con la MCU
Mayor eficiencia con cargas bajas
Conmutación rápida
Resistencia a avalanchas
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
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