Transistor MOSFET BSP170I

de potenciade conmutaciónde avalancha

Los MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™ son ideales para aplicaciones de conmutadores de carga, gestión de baterías y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de los MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™ es que simplifican la complejidad del diseño en aplicaciones de potencia media y baja. Su sencilla interfaz con la unidad de microcontrolador (MCU), su conmutación rápida y su resistencia a la avalancha hacen que los MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon sean adecuados para aplicaciones que exigen alta calidad. Características Baja resistencia en estado activo Probados al 100 % contra avalanchas Nivel lógico Recubrimiento de plomo libre de plomo; conforme a la directiva RoHS Certificados para aplicaciones industriales Ventajas Fácil interfaz con la MCU Mayor eficiencia con cargas bajas Conmutación rápida Resistencia a avalanchas La mejor calidad y fiabilidad de su clase