Transistor MOSFET ISP75DP06LM
de potenciade conmutaciónde avalancha

transistor MOSFET
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Características

Tipo
MOSFET
Tecnología
de potencia, de conmutación
Otras características
de avalancha
Tensión

-60 V

Descripción

Los MOSFET OptiMOS™ de canal P de 60 V en encapsulado SOT-223 son ideales para aplicaciones de conmutación de carga, gestión de baterías y protección contra inversión de polaridad. La principal ventaja de los MOSFET OptiMOS™ de canal P es la simplificación de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su fácil interfaz con la unidad de microcontrolador (MCU), su rápida conmutación y su resistencia a las avalanchas hacen que los MOSFET OptiMOS™ de canal P de Infineon sean adecuados para aplicaciones exigentes de alta calidad. Los productos mejoran la eficiencia con cargas bajas gracias a su bajo Qg.y están disponibles en nivel normal y lógico con un amplio rango RDS(on). Resumen de características: La mayoría de los productos cumplen la norma AEC Q101 Amplio rango RDS(on) Disponibilidad de nivel normal y nivel lógico Ventajas: Fácil interfaz con MCU Eficiencia mejorada con cargas bajas gracias al bajo Qg Conmutación rápida Resistencia a la avalancha Aplicaciones objetivo: Batería Consumo Automatización industrial Accionamientos industriales

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