Transistor MOSFET BSC112N06LD
de potencia

transistor MOSFET
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Características

Tipo
MOSFET
Tecnología
de potencia
Tensión

60 V

Corriente

20 A

Descripción

Beneficios: Paquete doble Super SO8 para una alta densidad de potencia (la huella más pequeña) Resistencia térmica superior Alta temperatura de funcionamiento hasta 175°C Alta inmunidad al disparo gracias a Qgd/Qgs<0.8 Revestimiento sin plomo, conforme a RoHS Aplicaciones de destino: SMPS Carga inalámbrica inductiva Interruptores de carga Sistemas de gestión de baterías Accionamientos de BT

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