Placa aislante eléctrica AN-170

Placa aislante eléctrica - AN-170 - Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd
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Descripción

Resumen del producto
El sustrato de nitruro de aluminio (AlN) AN-170 de 138 × 190 × 0,635 mm es una placa madre cerámica de gran formato diseñada para el procesamiento posterior hasta obtener sustratos electrónicos finales. Proporciona condición superficial, planitud y tolerancias dimensionales constantes, aptas para metalización y procesos avanzados de película gruesa/finas.

Descripción
Los sustratos de AlN combinan alta conductividad térmica con aislamiento eléctrico y estabilidad dimensional, por lo que son idóneos para electrónica de potencia, gestión térmica y encapsulados semiconductores donde se requiere disipación de calor y aislamiento eléctrico.

Puntos destacados
  • Tamaño de panel: 138 × 190 mm (placa madre gran formato)
  • Espesor: 0,635 mm
  • Rugosidad superficial controlada para metalización y fotolitografía
  • Baja deformación y consistencia entre lotes para procesos posteriores fiables


Aplicaciones
  • Metalización DPC: pulverización de panel completo, galvanoplastia y fotolitografía
  • Procesado de película gruesa: serigrafía, sinterizado y corte láser
  • Procesado de película fina: deposición y conformado de patrones
  • Flujos DBC / AMB para fabricación de sustratos electrónicos de potencia
  • Corte por láser de precisión y singulación en sustratos cerámicos a medida


Propiedades cerámicas del nitruro de aluminio (tabla)
Ítem: AlN / AN-170
Material: Nitruro de aluminio (AlN)
Apariencia: cian claro
Rugosidad superficial (Ra, μm): 0,1 – 0,75
Densidad (g/cm³): ≥ 3,3

Propiedades físicas:
- Resistencia a la flexión (ensayo de tres puntos), MPa: ≥ 400
- Dureza Vickers (carga 4,9), HV0.2: ≥ 1000
- Absorción de agua, %: –

Propiedades térmicas:
- Conductividad térmica (25°C), W/(m·K): ≥ 170
- Coeficiente lineal de expansión térmica (25–500°C), ×10⁻⁶/°C: 4 – 6
- Resistencia al choque térmico (800°C), ciclos: ≥ 10
- Calor específico, J/(kg·K): 720

Propiedades eléctricas:
- Constante dieléctrica (1 MHz / 25°C): 8 – 9
- Pérdida dieléctrica (1 MHz / 25°C), ×10⁻⁴: ≤ 3
- Resistividad volumétrica (25°C), Ω·cm: > 1e14
- Tensión de ruptura, kV/mm: > 17

Características / especificaciones técnicas
  • Modelo / Grado: AN-170
  • Tamaño de panel: 138 × 190 mm
  • Espesor: 0,635 mm
  • Material: nitruro de aluminio (AlN)
  • Apariencia: cian claro
  • Rugosidad de superficie (Ra): 0,1–0,75 μm
  • Densidad: ≥ 3,3 g/cm³
  • Resistencia a la flexión (tres puntos): ≥ 400 MPa
  • Dureza Vickers (HV0.2): ≥ 1000
  • Conductividad térmica (25°C): ≥ 170 W/(m·K)
  • Coeficiente de expansión (25–500°C): 4–6 ×10⁻⁶/°C
  • Resistencia al choque térmico (800°C): ≥ 10 ciclos
  • Calor específico: 720 J/(kg·K)
  • Constante dieléctrica (1 MHz / 25°C): 8–9
  • Pérdida dieléctrica (1 MHz / 25°C): ≤ 3 ×10⁻⁴
  • Resistividad volumétrica (25°C): > 1e14 Ω·cm
  • Tensión de ruptura: > 17 kV/mm

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