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Corriente: 24 A
Tensión: 100 V
... El HP8KE7 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. CARACTERÍSTICAS: baja resistencia a la conexión pequeño encapsulado de montaje superficial (HSOP8) revestimiento de plomo sin PB; cumple ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensión: 4.500, 5.200 V
... prensa y diodos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia en una avanzada carcasa modular que garantiza una presión de chip uniforme en pilas de múltiples dispositivos. Aunque el paquete más ...
Corriente: 25 mA
Tensión: 13 V
... CARACTERÍSTICAS - Fuente de alimentación DC-DC aislada incorporada; Fuente de alimentación única topología de accionamiento de la fuente de alimentación - Alta tensión de aislamiento de 3750VAC - Frecuencia de la señal de entrada de hasta ...
Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía ...
Corriente: 600 A
Tensión: 1.200 V
... Los módulos IGBT de Littelfuse ofrecen la alta eficiencia y las rápidas velocidades de conmutación de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizados para aplicaciones de control ...
... Toshiba ofrece una amplia gama de transistores bipolares adecuados para diversas aplicaciones, incluidos dispositivos de radiofrecuencia (RF) y de alimentación eléctrica. ...
Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V
... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Los módulos de potencia IGBT de Hitachi Energy están disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos IGBT sencillos, dobles / de pata de fase, de chopper y de diodo doble. Los módulos IGBT ...
Corriente: 5 A
Tensión: 500 V
... Tomas para transistores de potencia 5.paso de 45 mm / 0,215 Alta temperatura Baja emisión de gases Contacto redondo de alta fiabilidad que proporciona un buen rendimiento eléctrico y mecánico. Los zócalos de prueba para ...
Corriente: 5 A
... Tomas para transistores de potencia Para TO-247(4pin) Alta Temp. ℃ Baja emisión de gases Esta toma de prueba para transistores de potencia se adapta al encapsulado TO-247(4pin) y puede utilizarse en ...
Corriente: 5 A
... Tomas de prueba para transistores de potencia,Paso personalizado Alta Corriente Paso Tipo estándar/Through Hole Type Baja emisión de gases Si desea evaluar un dispositivo que no se ajusta a las especificaciones estándar, ...
Tensión: 110, 265 V
... Descripción TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET de 700 V de potencia, fuente de corriente conmutada de alto voltaje, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallas y otros circuitos de control en un dispositivo ...
Power Integrations
Corriente: 5, 20, 30, 50 A
Tensión: 600 V
... El IGBT discreto Bourns® de la serie BID combina la tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar, creando el componente adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo ...
... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...
Corriente: 25 mA
Tensión: 20 V
... Tensión Colector Emisor - Vceo 20 V Corriente continua de colector - Ic - 25 mA Polaridad - pol - NPN Disipación de potencia - Ptot - 0,200 W Temperatura de unión - Tjmax - 150 °C Ganancia de corriente continua - hfe - 85 - VcE - 10V ...
Diotec
Corriente: 200 mA
Tensión: 40 mV
... Aplicaciones típicas Tratamiento de señales, Conmutación, Amplificación Grado comercial l) Características Uso general Conforme a RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...
Diotec
Corriente: 100 mA
Tensión: 65, 45, 30 V
... Aplicaciones típicas Tratamiento de señales Conmutación Amplificación Grado comercial / industrial Sufijo -Q: Conforme a AEC-Q101x) Sufijo -AQ: en calificación AEC-Q101 *) Características Propósito general Tres grupos de ganancia de ...
Diotec
Corriente: 2 A
Tensión: 36 V
... Con este MOSFET se puede controlar una tensión de hasta 36 voltios. Con la modulación de la anchura de los impulsos, se puede reducir la tensión media cuadrática (por ejemplo, para atenuar una luz LED). COMPATIBLE CON Arduino, Raspberry ...
Corriente: 1 mA - 20 mA
Tensión: 2,7 V
Broadcom
... Los fotoacopladores para automoción (salida de transistor, salida de CI) están disponibles en paquetes pequeños con alta resistencia dieléctrica (3,75 KV) y funcionamiento a altas temperaturas, hasta 135 °C. Esto facilita ...
Tensión: 7,5 V
... de salida de radio portátil de banda UHF Etapa de salida para radio portátil de 700-800 MHz Driver genérico de 6 W para transistores de etapa final ISM y broadcast ...
Corriente: -0,5 A
Tensión: -50 V
... 50A02CH es un transistor bipolar, bajo VCE(sat), PNP simple para aplicaciones de amplificación de propósito general de baja frecuencia. Aplicaciones Amplificador de baja frecuencia Conmutación de alta velocidad Accionamiento ...
Fairchild Semiconductor
Corriente: 0,4 A - 45 A
Tensión: 36 V - 70 V
... ST ofrece una amplia gama de interruptores inteligentes de 3 y 5 patillas de bajo perfil (OMNIFET) basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control ...
STMicroelectronics
Tensión: -400 V - 1.000 V
... Vishay es el fabricante número uno mundial de MOSFETs de baja potencia. La línea de productos MOSFET de Vishay Siliconix power incluye dispositivos en más de 30 tipos de paquetes, incluyendo las familias MICRO FOOT® y PowerPAK® térmicamente ...
Tensión: 0,24 V - 3,5 V
Tensión: 45 V
... DESCRIPCIÓN: Los tipos de SEMICONDUCTOR CENTRAL BCX51, BCX52 y BCX53 son transistores de silicio PNP fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, diseñado para aplicaciones ...
Central Semiconductor
Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V
... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO ...
SEMIKRON
Tensión: 20, 50 V
... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...
Diodes Incorporated
Corriente: 10 A - 1.600 A
Tensión: 600 V - 1.700 V
... Greegoo ofrece módulos IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) en diferentes topologías, intensidades y tensiones. Desde 15A hasta 1600A en clases de tensión de 600V a 1700V, los módulos IGBT ...
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