Transistores de Digitaces del silicio de NPN
Circuito de la conmutación, circuito de inversor, circuito del conductor
Construido en el resistor diagonal (R1= 1 kΩ , R2= 10 kΩ)
BCR523U: Dos transistores aislados internos (galvánicos) con buen emparejar en un paquete
(RoHS obediente) package1 Pb-libres)
Calificado acordando a AEC Q101
420 megaciclos a 500 megaciclos
Transistores del RF del poder más elevado para los usos en la venda de 420 megaciclos a de 500 megaciclos. Estos transistores son convenientes para el uso en diseño del amplificador de energía de CDMA. Fabricado con nuestra tecnología avanzada de LDMOS y en grandes cantidades, la asamblea y las líneas lleno-automatizadas de la prueba, estos productos proporcionan ...
1450 megaciclos a 1500 megaciclos
Infineon ofrece una línea de transistores del RF del poder más elevado específicamente convenientes para la operación en banda de la frecuencia de 1450 megaciclos a de 1500 megaciclos. Estos transistores son convenientes para el uso en la estación base celular y el amplificador de energía de la difusión diseña. Fabricado con nuestra tecnología avanzada de ...
TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C
TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN
Diseñado para el uso complementario con
Serie TIP30
● 30 W en la temperatura de caso 25°C
● 1 una corriente de colector continua
● 3 una corriente de colector máxima
● Selecciones Cliente-Especificadas disponibles
Los dispositivos que integran dos transistores están disponibles en los paquetes ultra-compactos, convenientes para los varios usos tales como circuitos diferenciados de la amplificación del preamplificador, oscillattors de alta frecuencia, conductor ICs y así sucesivamente.
Características
 Transistor bipolar complejo de Ultra-compace para la gerencia de la energía
Los dispositivos que integran dos transistores están disponibles en los paquetes ultra-compactos, convenientes para los varios usos tales como circuitos diferenciados de la amplificación del preamplificador, oscillattors de alta frecuencia, conductor ICs y así sucesivamente.
Características
 transistor bipolar complejo Ultra-compacto para el convertidor de DC-DC
El volumen de la producción de Rohm de transistor es clase superior del mundo y los productos del transistor habían estado consiguiendo refinaron rápidamente conformándose con las necesidades del mercado.
El "ahorro de la energía", el "ahorro de espacio" y la "alta confiabilidad" son los corazones del concepto del desarrollo para ampliar la formación atractiva del producto. El dispositivo Small-signal, ...
Transistor del MOSFET y de NPN del canal N en un paquete
En-Resistencia baja
Voltaje muy bajo del umbral de la puerta, 1.0V máximo
Capacitancia baja de la entrada
Velocidad de conmutación rápida
Salida baja de la entrada-salida
Ultra-Pequeño paquete superficial del montaje
El plomo, el halógeno y el antimonio liberan, RoHS obediente (la nota 2)
Puerta protegida ...
Transistor de PNP
VCEO = 20V
RSAT = 47mΩ
IC = 4.5A
Diodo de Schottky
VR = 40V
VF= 500mv (@1A)
IC = 1A
Corriente de colector continua IC = 4.5A
Voltaje de saturación bajo (150mV @ 1A)
hFE caracterizado hasta 6A
VF bajo, Schottky que cambia rápido
Plomo, halógeno, y antimonio libre/RoHS obediente (nota 1)
Dispositivos del ...
El FMMT413 es un transistor bipolar planar del silicio de NPN optimizado para la operación del modo de la avalancha. El control de proceso apretado y el empaquetado de baja inductancia combinan para producir pulsos de gran intensidad con los bordes rápidos, ideales para la conducción del diodo láser.
Características y ventajas
Operación del modo de la avalancha
corriente máxima ...
FET del GaAs de la ENERGÍA de la MICROONDA
TIM3742-12UL
CARACTERÍSTICAS
-  PODER MÁS ELEVADO
P1dB=41.5dBm en 3.7GHz a 4.2GHz - ALTO AUMENTO
G1dB=11.5dB en 4.4GHz a 5.0GHz - VENDA AMPLIA INTERNO EMPAREJÓ EL FET - PAQUETE SELLADO HERMÉTICAMENTE
Toshiba ofrece una familia de producto ultra linear de los FETs del GaAs, señalada la familia de la UL, para la gama de frecuencia de la C-Venda con un aumento más alto, una distorsión de intermodulación más baja y una eficacia más alta. La familia de producto de la UL incluye productos a partir de 4 vatios de (w) hasta 25W y fue convertida para la radio digital de la microonda de punto a punto para ...
HEMT de GaN de la ENERGÍA de la MICROONDA
TGI1314-50L
CARACTERÍSTICAS
- PODER MÁS ELEVADO
Pout=47.0dBm en Pin=42.0dBm
- ALTO AUMENTO
GL=8.0dB en 13.75GHz a 14.5GHz
- PAQUETE SELLADO HERMÉTICAMENTE INTERNO EMPAREJADO AMPLIO DEL HEMT DE LA VENDA
- DISTORSIÓN DE INTERMODULACIÓN BAJA
IM3 =− (mínimo); 25dBc en Po=40.0dBm escogen el nivel del portador ...
Depending on the application, your design may need a combination of general purpose, Darlington, RF, JFET, built-in bias network or low saturation transistors. Fairchild offers a complete set of products, which are thoroughly specified, available in multiple packaging options and in many configurations.
SMT (surface mount) packages can be as small as 1mm x 6mm x .40mm(tall) ie the SOT923F ...
Transistor de Darlington del silicio de NPN
Características
* Alto aumento actual de C.C.
* Diodo incorporado del apagador en el E-C
* Carga formada para el uso superficial del montaje (ninguÌn sufijo)
Amplificador de los fines generales de PNP
Este dispositivo se diseña para el uso como un amplificador e interruptor de fines generales que requieren corrientes de colector a 500 mA.
El STC03DE220HP se fabrica en una estructura híbrida, usando las tecnologías de alto voltaje dedicadas del MOSFET de la tensión bipolar y baja, estado dirigidas a proporcionar el mejor funcionamiento en topología de ESBT.
El STC03DE220HP se diseña para el uso en el tiempo de retorno aux. SMPS para cualquier uso trifásico.
El dispositivo se fabrica en tecnología planar con la disposición de la "isla baja". El transistor resultante demuestra alto funcionamiento excepcional del aumento juntado con voltaje de saturación muy bajo.
El PD85025-E es un canal N de la fuente común, transistor de energía lateral del RF del efecto de campo del realce-modo. Se diseña para el alto aumento, los usos comerciales e industriales de banda ancha. Funciona en 13.6 V en modo de la fuente común en las frecuencias de hasta 1 gigahertz. PD85025-E se jacta el aumento, las linearidades y la confiabilidad excelentes de la última tecnología montada ...
Todos los transistores del silicio de las tecnologías de Avago están del NPN bipolar, tipo epitaxial planar. Éstos son transistores del alto rendimiento optimizados para las operaciones de la tensión de poca intensidad y baja; haciéndolos ideales para los usos en el mercado sin hilos de las comunicaciones.
El FET del GaAs de Avago utiliza una puerta reverse-biased de la Schottky-barrera fabricada con la tecnología de PHEMT. Estos dispositivos tienen una combinación de altas linearidades y PAE, alto aumento y las características de poco ruido.
Los MOSFETs herméticos de la energía de Avago son reemplazos convenientes para los relais mecánicos y de estado sólido donde está deseable la alta confiabilidad componente con la configuración estándar del plomo de la huella.
Parte: IRF5851
Descripción: 20V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete del micr3ofono 6
IRF5851TR A IRF5851 con el empaquetado de la cinta y del carrete
IRF5851TRPBF similar a IRF5851TR con el empaquetado sin plomo.
IR’s IRS2548D LED control IC was awarded “Leading Product” in the 2011 EDN China Innovation Awards in the Power Device and Module – LED category. The IRS2548D Switched Mode Power Supply (SMPS) control IC for energy efficient applications for high power Light Emitting Diode (LED) illumination including LED street lighting, stadium lighting and theatrical lighting combines Power Factor Correction (PFC) ...
Transistores bipolares
BJTs - BRTs - IGBTs
EN el semiconductor ofrece una lista amplia de los transistores de ensambladura bipolar, incluyendo los transistores audios, los transistores del darlington, los transistores del resistor diagonal (BRTs), los transistores bipolares aislados de la puerta (IGBTs), los transistores bajos de Vce (sentado), los transistores del RF, y los transistores ...
Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición extendida a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo.
Renesas transistors offer support for customers' systems by supporting a wide variety of
applications, from applications requiring ultra-small size to large current or amplification applications.
Products for a variety of applications, such as power supply, motor drive,
high frequency amplification, and load switch, are available. We have products
for each reliability level required for consumer and automotive electronics.
We also offer small and highly efficient DC/DC converter ICs that integrate a MOSFET and its drive circuitry.
El FH1 es un alto FET del rango dinámico embalado en un barato
superficie-montar el paquete. La combinación de de poco ruido
la figura e IP3 de alto rendimiento en el mismo punto diagonal lo hace
ideal para los usos del receptor y del transmisor. El dispositivo
combina funcionamiento confiable con calidad magnífica a
mantener los valores del MTTF que exceden 100 años en el montaje
temperaturas ...
El TGF2021-04-SD es transistor seudo-mórfico del GaAs de la movilidad de electrón del alto rendimiento un alto (pHEMT) contenido en un paquete del montaje de la superficie del bajo costo SOT89.
El punto de funcionamiento ideal del dispositivo para la operación de poco ruido está en un diagonal del dren de 5 V y de 150 mA. En este diagonal en 900 megaciclos cuando está emparejado en 50 ohmios usando ...
The AGB is one of a series of GaAs MESFET amplifiers designed for use in applications requiring high linearity, low noise and low distortion. With a high IP3, low noise figure and wide band operation, the AGB3301 is ideal for 50Ω wireless infrastructure applications such as MMDS, Cellular Base Stations, PCS and WLL. Offered in a low cost SOT-89 surface mount package, the AGB3301 requires ...
