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Del voltaje de saturación bajo IGBT, alto aumento y señal de poco ruido/de la distorsión Bip-TRSs pequeña al MOSFET para la pequeña conmutación de la señal, las ofertas alto rendimiento de Renesas, el perfil bajo y los pequeños transistores de la huella para los usos diversificados.
Para más detalles en los transistores de Renesas, visitar el URL abajo.
http://eu.renesas.com/fmwk.jsp?cnt=transistor_family_landing.jsp&fp=/products/discrete/transistors/
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DESCRIPCIÓN:
El SEMICONDUCTOR CENTRAL CJD112, tipos CJD117 es transistores complementarios de Darlington de la energía del silicio manufacturados en un paquete superficial del montaje diseñado para los usos de poca velocidad de la conmutación y del amplificador.
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Transistores de Digitaces del silicio de NPN
Circuito de la conmutación, circuito de inversor, circuito del conductor
Construido en el resistor diagonal (R1= 1 kΩ , R2= 10 kΩ)
BCR523U: Dos transistores aislados internos (galvánicos) con buen emparejar en un paquete
(RoHS obediente) package1 Pb-libres)
Calificado acordando a AEC Q101
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Transistores bipolares
BJTs - BRTs - IGBTs
EN el semiconductor ofrece una lista amplia de los transistores de ensambladura bipolar, incluyendo los transistores audios, los transistores del darlington, los transistores del resistor diagonal (BRTs), los transistores bipolares aislados de la puerta (IGBTs), los transistores bajos de Vce (sentado), los transistores del RF, y los transistores de fines generales.
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Transistor de alto voltaje de NPN
Características:
- Alto voltaje
- Conmutación de alta velocidad
Estructura:
- Tipo difundido triple del silicio
- Transistor del silicio de NPN
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Órdenes del transistor de energía (Multi-viruta, 4 circuitos); Pequeños órdenes del transistor de la señal (Multi-viruta); Pequeños órdenes del transistor de la señal (monolíticos); Transistores de J-FET+Bipolar
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Parte: IRF5851
Descripción: 20V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete del micr3ofono 6
IRF5851TR A IRF5851 con el empaquetado de la cinta y del carrete
IRF5851TRPBF similar a IRF5851TR con el empaquetado sin plomo.
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El FH1 es un alto FET del rango dinámico embalado en un barato
superficie-montar el paquete. La combinación de de poco ruido
la figura e IP3 de alto rendimiento en el mismo punto diagonal lo hace
ideal para los usos del receptor y del transmisor. El dispositivo
combina funcionamiento confiable con calidad magnífica a
mantener los valores del MTTF que exceden 100 años en el montaje
temperaturas de +85 °C. El FH1 es disponible
sin plomo respetuoso del medio ambiente/verde/RoHS-obediente
Paquete SOT-89.
El dispositivo utiliza una alta confiabilidad GaAs MESFET
la tecnología y se apunta para los usos donde arriba
se requiere la linearidad. Está bien adaptada para la varia corriente
y tecnologías inalámbricas de la generación siguiente tales como GPRS,
G/M, CDMA, y W-CDMA. Además, el FH1
trabajar para otros usos dentro de los 50 a 4000 megaciclos
gama de frecuencia tal como radio fija.
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Toshiba ofrece una familia de producto ultra linear de los FETs del GaAs, señalada la familia de la UL, para la gama de frecuencia de la C-Venda con un aumento más alto, una distorsión de intermodulación más baja y una eficacia más alta. La familia de producto de la UL incluye productos a partir de 4 vatios de (w) hasta 25W y fue convertida para la radio digital de la microonda de punto a punto para las comunicaciones terrestres y el bloque encima del convertidor o del terminal de VSAT para las comunicaciones basadas en los satélites.
Toshiba America Components Electrónicos, Inc. (TAEC) es la ingeniería, la fabricación, la comercialización, y las ventas norteamericanas arman para los semiconductores de la microonda de Toshiba. TAEC ha establecido a servicio de atención al cliente, dirigiendo oficinas de ventas de la ayuda, y representantes de ventas en Norteamérica para proporcionar el servicio mejor.
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Los semiconductores de la energía de Toshiba, el RF, y los dispositivos discretos de baja frecuencia de la pequeña señal consisten en una amplia gama de diodos, de los ICs lineares, semi de la aduana ICs, de sensores, de Thyristers, de triac, y de transistores. Los productos discretos de Toshiba se diseñan para los usos que requieren alta confiabilidad, eficacia de energía y un diseño compacto.
Toshiba ofrece una amplia gama de MOSFET de la energía, módulos del transistor de energía con o sin insulatead el disipador de calor cubre hasta poder más elevado.
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Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición extendida a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo.
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DESCRIPCIÓN:
El tipo CENTRAL del SEMICONDUCTOR CZTA44HC es un transistor epitaxial planar moldeado el epóxido superficial del silicio del montaje diseñado para los usos extremadamente de alto voltaje y de gran intensidad.
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Caracterizado por las altas tendencias de la innovación basadas en una tecnología pasada de moda, los transistores bipolares de la energía del ST se han desarrollado de los dispositivos de fines generales a los productos específicos a la aplicación. La nueva tecnología difundida colector realzada se ha adaptado para el circuito de desviación horizontal muy de alto voltaje usado en TVCs de gama alta y monitores. La gama de productos de la baja tensión se ha agrandado con la última tecnología baja de la isla para proporcionar el mejor funcionamiento de los usos de la energía del bajo-medio, apuntando los segmentos del mercado de consumidores de la computadora en placas madres, los conductores del disco duro, cargadores móviles, alumbrado de seguridad, iluminación ligera trasera del ordenador portátil.
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Ofrecimiento de una lista amplia de los productos de la energía del RF, de los mercados numerosos del RF de los servicios del semiconductor de Freescale incluyendo la infraestructura sin hilos, de la difusión y de mercados industriales, científicos y médicos. Las ofrendas de producto principales de la energía del RF de Freescale cubren las demandas cada vez mayores del ISMO, de la microonda y de los sistemas de comunicación personales, incluyendo la infraestructura celular, los datos de banda ancha, WiMAX, difusión de TV, difusión de UHF/VHF y aterrizan el móvil. Con una larga historia de la experiencia y de la innovación, Freescale entrega la calidad, la confiabilidad y la consistencia de las cuales nuestros clientes dependen.
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DESCRIPCIÓN:
El SEMICONDUCTOR CENTRAL MMPQ2222A, consistiendo en cuatro transistores y disponible en el paquete del montaje de la superficie SOIC-16, se diseña para el amplificador de fines generales y los usos que cambian.
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DESCRIPCIÓN:
El semiconductor central CMKT5078 (un cada NPN y PNP complementarios), CMKT5087 (dos solos PNP), y CMKT5088 (dos solos NPN) es combinaciones de transistores en un paquete del ahorro de espacio SOT-363 ULTRAminiTM, diseñadas para los usos que requieren alto aumento y de poco ruido.
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STMicroelectronics ofrece una lista ancha del producto de los pequeños dispositivos del estándar industrial de la señal en el TO-18 bien conocido y el metal TO-39 puede los paquetes y los pequeños transistores de alto voltaje de la señal en los paquetes plásticos para el uso en una gama amplia de usos/de segmentos de mercado.
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10mo Los FETs del MOS de la energía de la generación de Renesas entregan una pérdida más baja de la carga de la puerta y bajan la pérdida de la conducción, que significa menos generación de calor y eficacia más alta del uso de energía. 10mo Los FETs del MOS de la energía de la generación con el diodo de barrera de Schottky de la en-viruta (SBD) están también disponibles ambos en formato solo y dual.
El nuevo DrMOS, un conductor IC y dos FETs del MOS incorporados en un solo 56 paquete del perno QFN, es un gran ahorrador del espacio con eficacia actual grande de la capacidad y del poder más elevado.
Para aprender más sobre el último desarrollo de los FETs del MOS de la energía de Renesas, chascar aquí.
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Descripción general
El FDS8672S se diseña para substituir un solos MOSFET y diodo de Schottky en fuentes de alimentación síncronas de DC/DC. Este MOSFET 30V se diseña para maximizar eficacia de conversión de energía, proporcionando un rDS bajo (encendido) y la carga baja de la puerta. El FDS8672S incluye una combinación patentada de un MOSFET integrado monolítico con un diodo de Schottky usando la tecnología monolítica de SyncFET de Fairchild.
Características
- rDS máximo (encendido) = 4.8mOhm en VGS = 10V, identificación = 18A
- rDS máximo (encendido) = 7.0mOhm en VGS = 4.5V, identificación = 15A
- Incluye el diodo del cuerpo de SyncFET Schottky
- Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el rDS bajo (encendido) y la conmutación rápida
- Poder más elevado y capacidad de dirección actual
- Rg 100% (resistencia de la puerta) probado
- La terminación es sin plomo y RoHS obediente
Usos
- Rectificador síncrono para los convertidores de DC/DC
- Interruptor lateral bajo de Vcore del cuaderno
- Punto del interruptor lateral bajo de la carga
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La técnica propietaria de la disposición de la tira del ST y sus derivados han revolucionado los MOSFETs de la energía. La gama del MOSFET de la energía incluye el MDmesh%u2122 muy avanzado más los productos PowerMESH%u2122 para el colmo y los usos muy de alto voltaje del MOSFET de la energía.
Optimizan a la familia de la baja tensión STripFET%u2122 para la conversión de DC-DC, el control automotor, de movimiento y los usos de la gerencia de la energía.
El funcionamiento del MOSFET de la energía se alza más a fondo con conceptos de empaquetado innovadores.
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TSM3900D: 20 V se doblan Mosfet del canal N
Características:
- Tecnología de proceso del foso anticipado
- Diseño de alta densidad de la célula para la En-resistencia ultrabaja
Uso:
- Interruptor de la carga
- Interruptor del PA
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Toshiba continúa ofreciendo la formación más amplia de productos discretos. Las soluciones discretas de Toshiba cubren una anchura de productos incluyendo la optoelectrónica, la lógica ICs, los pequeños dispositivos de la señal, de la microonda, (RF) de la radiofrecuencia ICs, y de energía.
Los semiconductores de la energía de Toshiba, el RF, y los dispositivos discretos de baja frecuencia de la pequeña señal consisten en una amplia gama de diodos, de los ICs lineares, semi de la aduana ICs, de sensores, de Thyristers, de triac, y de transistores. Los productos discretos de Toshiba se diseñan para los usos que requieren alta confiabilidad, eficacia de energía y un diseño compacto.
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Parte: IRF1302
Descripción: 20V escogen el MOSFET de la energía del canal N HEXFET en un paquete de TO-220AB
Un IRF1302 con el empaquetado estándar
Similar a IRF1302 con el empaquetado sin plomo
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