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transistor bipolar / para señales pequeñas / con resistencias de polarización integradas / digital
transistor bipolar
DTA Series

Tensión: 0,1, 0,5, 1 V

... Los transistores digitales son inventados por Rohm, el primero en el mercado, que es el transistor que combina resistencia(s) incorporada(s) para la conveniencia del circuito digital. Este segmento de ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolar / de potencia / de silicio
transistor bipolar
2S series

Tensión: 0 V - 400 V
Corriente: 0 A - 6 A

... Disponible en la variedad de paquetes que tienen la naturaleza de la señal pequeña, delgada y de alta potencia para cubrir el mercado de forma extensiva. ...

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ROHM Semiconductor
transistor MOSFET / de potencia / de silicio
transistor MOSFET
HS8K11

Tensión: 30 V
Corriente: 0 A - 44 A

... HS8K11 es un MOSFET estándar para aplicaciones de conmutación Características - Baja resistencia al encendido. - Revestimiento de plomo sin plomo; conforme a RoHS. - Libre de halógenos. Especificaciones Código de paquete: HSML303030L10 Número ...

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ROHM Semiconductor
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
MG12600WB-BR2MM Series

Tensión: 1.200 V
Corriente: 600 A

... módulos IGBT Littelfuse ofrecen alta eficiencia y velocidades de conmutación rápidas de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizado para aplicaciones de control de potencia, ...

módulo de transistor IGBT / de potencia
módulo de transistor IGBT

Tensión: 1.200 V
Corriente: 10, 25 A

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
módulo de transistor IGBT / de potencia
módulo de transistor IGBT
GTS40FB120T5HB

Tensión: 1.200 V
Corriente: 40 A

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT
RGW25N135F1A

Tensión: 1.350 V
Corriente: 25 A

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
LUH, LWH, LEF, LFC series

... funciones de protección ESD y protección de tensión transitoria Protección Shoot-through Muy bajo VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo ...

transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT

Tensión: 75 V - 1.200 V
Corriente: 200 A - 900 A

transistor bipolar / de potencia / para señales pequeñas / de silicio
transistor bipolar
BCX51

Tensión: 45 V

... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL BCX51, BCX52, y BCX53 son transistores de silicona PNP fabricado por el proceso epitaxial planar, epoxi moldeado en un paquete de montaje en superficie, diseñado para alta aplicaciones ...

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Central Semiconductor
transistor NPN / MOSFET / para señales pequeñas / doble
transistor NPN
CMKT3920

Tensión: 60, 50, 7 V
Corriente: 200 mA

... DESCRIPCIÓN: El semiconductor central CMKT3920 (2 unidades de Transistores NPN) es una combinación dual en un espacio sOT-363 ULTRAmini™ paquete de ahorro, diseñado para pequeña señal amplificador de uso general y conmutación aplicaciones. CÓDIGO ...

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Central Semiconductor
transistor bipolar / para señales pequeñas / de silicio / silencioso
transistor bipolar
CMPT5086

Tensión: 50, 3 V
Corriente: 50 mA

... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPT5086, CMPT5086B y CMPT5087 son transistores PNP de silicio fabricado por el proceso epitaxial planar, epoxi moldeado en un paquete de montaje en superficie, diseñado para aplicaciones ...

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Central Semiconductor
transistor MOSFET / de potencia / de conmutación / de avalancha
transistor MOSFET
IPD900P06NM

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Infineon Technologies - Sensors
transistor MOSFET / de potencia
transistor MOSFET
CSD series

Tensión: 12 V - 100 V

... La tecnología de transistor MOSFET de canal N está notablemente diseñada para proporcionar la mitad de la carga de la puerta para la misma resistencia. También ayuda a los diseñadores a alcanzar el 90% de eficiencia en ...

transistor MOSFET / de potencia / para las técnicas automóviles
transistor MOSFET
VND series

... ST ofrece una amplia gama de interruptores inteligentes de 3 y 5 patillas de bajo perfil (OMNIFET) basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control ...

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STMicroelectronics
transistor MOSFET / de potencia
transistor MOSFET

... La familia Power MOSFET de Renesas Electronics incluye rangos de avería de 25-1.500V Vdss, lo que la hace ideal para una variedad de aplicaciones de automoción, industriales y de consumo. La amplia gama de valores de corriente de hasta ...

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Renesas Electronics
transistor IGBT / de potencia
transistor IGBT
FG, ISL9 series

Tensión: 250, 500 V
Corriente: 10, 43 A

... FAIRCHILD presenta su nueva línea de encendido automotriz con IGBT. Está especialmente diseñado para tener la mayor densidad de energía de pinza de todos los dispositivos del mercado y un bajo voltaje de saturación. Proporciona un rendimiento ...

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Fairchild Semiconductor
transistor bipolar / de potencia
transistor bipolar

Tensión: 20 V
Corriente: 100, 82 A

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Toshiba America Electronics Components
transistor bipolar / para señales pequeñas / de conmutación
transistor bipolar
BC337-25

Tensión: 50 V
Corriente: 0,8 A

... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO ...

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Taiwan Semiconductor
transistor RF
transistor RF
AT-31033

Tensión: 2,7 V
Corriente: 1 mA - 10 mA

... Cuenta con un dispositivo de microcorriente que ofrece un buen rendimiento de RF a 1mA-10mA. El AT-310XX se aloja en una variedad de paquetes y es muy adecuado para buscapersonas, celulares/PCS y otras aplicaciones de RF. NF=0.9dB, Ganancia=13dB ...

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Broadcom
transistor HEMT / de potencia / de GaAs
transistor HEMT
TGF2018

Tensión: 8 V
Corriente: 29 mA

... Características principales Rango de frecuencia: DC - 20 GHz 22 dBm Potencia de salida típica - P1dB 14 dB Ganancia típica @ 12 GHz 55% PAE Típico a 12 GHz 1.0 dB NF típica @12 GHz No Vias Tecnología: 0.25 um GaAs pHEMT El TGF2018 de ...

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Triquint Semiconductor
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
SK 9 BGD 065 ET

... nuevos diseños ViviendaSEMITOP 3 (55x31x12) (LLxBBxHHH)55x31x12 Paquete SwitchesSix VCES en V600 ICnom en A6 TecnologíaNPT IGBT (Ultrarrápido) ...

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SEMIKRON
transistor Darlington / de conmutación
transistor Darlington

Tensión: 30 V - 80 V

... Satisfaga sus necesidades de amplificación y conmutación con nuestros transistores Darlington. Hay numerosos dispositivos PNP y NPN para elegir, todos ellos con una ganancia de corriente continua muy alta. ...

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NXP Semiconductors
transistor bipolar / de potencia
transistor bipolar

Tensión: 3,5 V - 350 V
Corriente: 0,04 A - 16 A

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ON Semiconductor
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT

... Los módulos IGBT de Vishay están disponibles con varias configuraciones diferentes, incluyendo medio puente, puente completo, helicóptero e inversor 6PAK. Se dispone de una amplia gama de corrientes de colector, hasta 200 A. ...

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VISHAY
transistor de efecto de campo / de conmutación
transistor de efecto de campo
IMOPTR series

Tensión: 24 V

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
MIAA/MIFA

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Proton-Electrotex, JSC
transistor MOSFET / de potencia
transistor MOSFET
HSSR, 5962 series

... Los MOSFET de potencia hermética de Avago son sustitutos convenientes para relés mecánicos y de estado sólido en los que es deseable una alta fiabilidad de los componentes con una configuración de cable de huella estándar. ...

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Avago Technologies
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
TIM series

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GREEGOO ELECTRIC CO LTD
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
600V, 800A

transistor bipolar / MOSFET / de conmutación
transistor bipolar
DMB series

Tensión: 20, 50 V

... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...

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Diodes Incorporated
módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
900 A, 1200 V | IAP900D120

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Applied Power Systems