& encuentre a todos sus clientes en un solo lugar durante todo el año
Hacerse expositor
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... Descripción general
El SCT4090KTWHR es un
MOSFET
SiC en paquete TSC3PAK para montaje superficial con disipación de calor por la parte superior. TSC3PAK ofrece una disipación térmica comparable a los paquetes ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
Este
MOSFET
SiC en encapsulado TSC3PAK para montaje superficial presenta una estructura de disipación por la cara superior, situando la superficie térmica en la parte superior del encapsulado; ...
ROHM Semiconductor
... Resumen
El
MOSFET
SiC SCT4062KTWHR en paquete TSC3PAK está diseñado para aplicaciones de conmutación y conversión de potencia en alta tensión. Combina baja resistencia a la conducción y conmutación rápida para ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
Este
MOSFET
SiC está disponible en el paquete TSC3PAK para montaje superficial, con superficie de disipación térmica en la cara superior y una ranura propietaria que asegura una distancia ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
Este dispositivo es un
MOSFET
SiC en paquete TSC3PAK para montaje superficial. La estructura de disipación por la cara superior sitúa la superficie térmica en la parte superior del paquete, ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
Este
MOSFET
SiC en paquete TSC3PAK para montaje superficial presenta disipación térmica por la parte superior, ofreciendo rendimiento térmico comparable a paquetes through-hole al tiempo ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
Este
MOSFET
SiC en paquete TSC3PAK para montaje superficial ofrece baja resistencia ON y conmutación de alta velocidad para la conversión de potencia en alta tensión. El paquete utiliza una ...
ROHM Semiconductor
... Resumen
Dispositivo
SiC
MOSFET en paquete TSC3PAK SMD con estructura de disipación térmica en la superficie superior. El paquete sitúa la superficie de disipación térmica en la parte superior, ofreciendo un ...
ROHM Semiconductor
... Resumen del producto
Componente
MOSFET de
carburo de
silicio (SiC) de 1200 V y 31 A, modelo SCT4050KTW, en encapsulado TSC3PAK para montaje superficial. El encapsulado utiliza disipación por ...
ROHM Semiconductor
... referencia (página del producto): SCT4018KTWHRTCR (también denominado SCT4018KTWHR)
ROHM Semiconductor
... inversores de tracción Convertidores CC/CC de alto voltaje Cargadores externos Productos finales 1200V SiC MOSFET Dados desnudos Características mOSFET de SiC de 3ª generación Alta ...
& encuentre a todos sus clientes en un solo lugar durante todo el año
Hacerse expositora los mejores proveedores