MOSFET resistencia de alta tensión SCT4090KTW

de alta velocidadSiCpara aplicaciones automovilísticas

Descripción general
Este MOSFET SiC en encapsulado TSC3PAK para montaje superficial presenta una estructura de disipación por la cara superior, situando la superficie térmica en la parte superior del encapsulado; permite el montaje automatizado y ofrece prestaciones térmicas comparables a los encapsulados through‑hole. La estructura de ranura propietaria de ROHM garantiza una distancia de fuga de 6,66 mm, soportando picos AC de hasta 1200 V en entornos de Grado de Contaminación 2. El dispositivo proporciona baja resistencia de conducción y conmutación rápida para reducir pérdidas por conmutación y mejorar la eficiencia en circuitos de conversión de potencia. Aplicaciones típicas: cargadores embarcados y compresores eléctricos en xEV, inversores fotovoltaicos y fuentes de alimentación para servidores.

Información de la pieza / Embalaje

• Número de pieza: SCT4090KTWTCR
• Estado: Recomendado
• Encapsulado: TSC3PAK (disipación superior)
• Tipo de embalaje: Taping
• Cantidad por unidad: 600 / carrete
• Cantidad mínima por paquete: 600
• RoHS: Sí
• MSL: 1

Características

• Amplia distancia de fuga: mín. 6,66 mm (estructura ranurada de ROHM)
• Baja resistencia ON (Rds(on) típ. 90 mΩ)
• Alta velocidad de conmutación, menor pérdida por conmutación
• Recuperación inversa rápida
• Fácil de poner en paralelo
• Conducción/activación sencilla
• Recubrimiento de terminales sin plomo; conforme RoHS

Especificaciones técnicas

• Modelo: SCT4090KTWTCR
• Tensión drenador‑fuente (Vdss): 1200 V
• Resistencia drenador‑fuente en conducción (Rds(on)) (Típ.): 90 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (Id): 18 A
• Disipación de potencia total (Pd): 81 W
• Temperatura de unión (Tj max): 175 °C
• Temperatura de almacenamiento: -40 °C a 175 °C
• Tamaño del encapsulado: 14,0 x 18,58 mm (t = 3,625 mm)
• Tipo de encapsulado: SMD 9 pines (TSC3PAK) con disipación superior
• Distancia de fuga: 6,66 mm (soporta AC peak 1200 V en grado de contaminación 2)

Aplicaciones típicas

• xEV: cargadores embarcados, compresores eléctricos
• Inversores fotovoltaicos
• Fuentes de alimentación para servidores y telecomunicaciones