MOSFET para aplicaciones automovilísticas SCT4018KTWHR

resistencia de alta tensiónde alta velocidadSiC

Descripción general Este producto es un MOSFET de SiC en encapsulado TSC3PAK. Al adoptar una estructura de disipación térmica por la parte superior, en la que la superficie de disipación se sitúa en la parte superior del encapsulado, el producto permite el montaje automatizado al tiempo que ofrece un rendimiento de disipación térmica comparable al de los encapsulados convencionales de orificios pasantes. La estructura ranurada patentada por ROHM garantiza una distancia de fuga de 6,66 mm, lo que permite soportar una tensión pico de CA de 1200 V en entornos con grado de contaminación 2. El dispositivo ofrece una baja resistencia en estado activo y características de conmutación de alta velocidad, lo que reduce las pérdidas de conmutación y mejora la eficiencia y la fiabilidad en circuitos de conversión de potencia para cargadores a bordo (OBC), compresores eléctricos para vehículos xEV, inversores fotovoltaicos y fuentes de alimentación para servidores. Características principales

• Certificado según AEC-Q101 (grado automovilístico)
• Carcasa: TSC3PAK con disipación de calor por la parte superior
• Amplia distancia de fuga: mín. 6,66 mm
• Baja resistencia en estado activo (RDS(on) típica: 18 mΩ)
• Alta velocidad de conmutación y rápida recuperación inversa
• Fácil de conectar en paralelo
• Fácil de controlar
• Recubrimiento de plomo libre de plomo; Conforme a la normativa RoHS

Aplicaciones Cargadores a bordo (OBC) y compresores eléctricos en vehículos xEV; inversores fotovoltaicos; fuentes de alimentación de servidores de alto rendimiento y otros equipos de conversión de potencia de alta tensión. Información del componente Número de referencia | SCT4018KTWHRTCR Estado | Recomendado Paquete | TSC3PAK Tipo de embalaje | En cinta Cantidad por unidad | 600 Cantidad mínima por paquete | 600 RoHS | Sí MSL | 1 Especificaciones (seleccionadas) Tensión dren-fuente [V] : 1200 Resistencia dren-fuente en estado activo (típica) [mΩ] : 18 Generación : 4.ª generación (Trench) Corriente de drenaje [A]: 79 Disipación de potencia total [W]: 294 Temperatura de unión (máx.) [°C]: 175 Temperatura de almacenamiento (mín.) [°C]: -40 Temperatura de almacenamiento (máx.) [°C]: 175 Tamaño del encapsulado [mm]: 14,0 x 18,58 (t=3,625) Norma común: AEC-Q101 (grado automovilístico) Características (detalladas)

• Estructura de disipación térmica en la parte superior del encapsulado de montaje superficial que permite una disipación térmica comparable a la de los encapsulados de orificio pasante (por ejemplo, equivalentes a TO-247)
• Ranura patentada en el encapsulado que permite una gran distancia de fuga para un diseño de aislamiento de alta tensión
• Tecnología MOSFET de SiC de 4.ª generación de ROHM: baja resistencia en estado activo y pérdidas de conmutación reducidas
• Diseñado para el montaje automatizado sin renunciar a un alto rendimiento térmico

características / especificaciones técnicas

• Número de referencia (página del producto): SCT4018KTWHRTCR (también denominado SCT4018KTWHR)
• Tipo de dispositivo: MOSFET de carburo de silicio (SiC)
• Carcasa: TSC3PAK (montaje en superficie, disipación de calor por la parte superior)
• VDSS (tensión dren-fuente): 1200 V
• RDS(on) (típico): 18 mΩ
• Corriente nominal de drenaje: 79 A
• Disipación de potencia total: 294 W
• Temperatura máxima de unión: 175 °C
• Temperatura de almacenamiento: de -40 °C a 175 °C
• Dimensiones del encapsulado: 14,0 x 18,58 mm (espesor 3,625 mm)
• Distancia de fuga: mín. 6,66 mm (admite un pico de CA de 1200 V en el grado de contaminación 2)
• Generación/estructura: 4.ª generación (Trench)
• Conformidad/calidad: AEC-Q101 (grado automovilístico), conforme a la directiva RoHS
• Embalaje: en cinta; cantidad por bobina: 600; cantidad mínima por paquete: 600