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MOSFET resistencia de alta tensión SCT4050KTW
de alta velocidadde carburo de silicioSiC

MOSFET resistencia de alta tensión - SCT4050KTW - ROHM Semiconductor - de alta velocidad / de carburo de silicio / SiC
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MOSFET resistencia de alta tensión - SCT4050KTW - ROHM Semiconductor - de alta velocidad / de carburo de silicio / SiC - imagen - 2
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Características

Especificaciones
resistencia de alta tensión, de alta velocidad, de carburo de silicio, SiC
Material
de carburo de silicio, SiC

Descripción

Resumen del producto
Componente MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V y 31 A, modelo SCT4050KTW, en encapsulado TSC3PAK para montaje superficial. El encapsulado utiliza disipación por la cara superior para ofrecer un rendimiento térmico comparable a los encapsulados de orificio pasante, permitiendo a la vez montaje automático SMD. Una ranura patentada asegura una amplia distancia de fuga (mín. 6,66 mm), soportando picos AC de 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. El dispositivo proporciona baja resistencia en conducción y conmutación rápida para reducir pérdidas de conmutación y mejorar la eficiencia en la conversión de potencia.

Paquete e imágenes
Paquete: TSC3PAK (SMD, disipación por la cara superior). Adecuado para colocación automática; rendimiento térmico cercano al de los paquetes de orificio pasante con un tamaño SMD compacto.

Características
  • Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm
  • Baja resistencia ON drain-fuente (RDS(on) típ. 50 mΩ)
  • Conmutación rápida
  • Recuperación inversa rápida
  • Fácil de conectar en paralelo para mayor corriente
  • Requisitos de control de puerta sencillos
  • Rechapado sin Pb; conforme a RoHS

Ejemplos de aplicación
  • Cargadores embarcados (OBC) y compresores eléctricos en xEV
  • Inversores fotovoltaicos
  • Fuentes de alimentación para servidores y equipos industriales de alta eficiencia

Especificaciones de la pieza (resumen)
Número de pieza | SCT4050KTWTCR
Estado | Recomendado
Paquete | TSC3PAK
Tipo de embalaje | Taping
Cantidad por unidad | 600
Cantidad mínima por paquete | 600
RoHS | Sí
MSL | 1

Características / Especificaciones técnicas
  • Modelo: SCT4050KTW
  • Tensión Drain-Source (VDS): 1200 V
  • Resistencia en conducción Drain-Source (Típ.): 50 mΩ
  • Generación: 4th Gen (Trench)
  • Corriente de drenaje (ID): 31 A
  • Disipación total de potencia: 128 W
  • Temperatura de unión (Máx.): 175 °C
  • Rango de temperatura de almacenamiento: -40 °C a 175 °C
  • Tamaño del paquete (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
  • Tipo de paquete: TSC3PAK (disipación por la cara superior)

Catálogos

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Ferias

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 nov. 2026 Munich (Alemania) Hall C3 - Stand 520

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