Resumen del productoComponente MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V y 31 A, modelo SCT4050KTW, en encapsulado TSC3PAK para montaje superficial. El encapsulado utiliza disipación por la cara superior para ofrecer un rendimiento térmico comparable a los encapsulados de orificio pasante, permitiendo a la vez montaje automático SMD. Una ranura patentada asegura una amplia distancia de fuga (mín. 6,66 mm), soportando picos AC de 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. El dispositivo proporciona baja resistencia en conducción y conmutación rápida para reducir pérdidas de conmutación y mejorar la eficiencia en la conversión de potencia.
Paquete e imágenesPaquete: TSC3PAK (SMD, disipación por la cara superior). Adecuado para colocación automática; rendimiento térmico cercano al de los paquetes de orificio pasante con un tamaño SMD compacto.
Características- Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm
- Baja resistencia ON drain-fuente (RDS(on) típ. 50 mΩ)
- Conmutación rápida
- Recuperación inversa rápida
- Fácil de conectar en paralelo para mayor corriente
- Requisitos de control de puerta sencillos
- Rechapado sin Pb; conforme a RoHS
Ejemplos de aplicación- Cargadores embarcados (OBC) y compresores eléctricos en xEV
- Inversores fotovoltaicos
- Fuentes de alimentación para servidores y equipos industriales de alta eficiencia
Especificaciones de la pieza (resumen)Número de pieza | SCT4050KTWTCR
Estado | Recomendado
Paquete | TSC3PAK
Tipo de embalaje | Taping
Cantidad por unidad | 600
Cantidad mínima por paquete | 600
RoHS | Sí
MSL | 1
Características / Especificaciones técnicas- Modelo: SCT4050KTW
- Tensión Drain-Source (VDS): 1200 V
- Resistencia en conducción Drain-Source (Típ.): 50 mΩ
- Generación: 4th Gen (Trench)
- Corriente de drenaje (ID): 31 A
- Disipación total de potencia: 128 W
- Temperatura de unión (Máx.): 175 °C
- Rango de temperatura de almacenamiento: -40 °C a 175 °C
- Tamaño del paquete (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
- Tipo de paquete: TSC3PAK (disipación por la cara superior)