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MOSFET SiC SCT4050KTWHR
para aplicaciones automovilísticasresistencia de alta tensiónde alta velocidad

MOSFET SiC - SCT4050KTWHR - ROHM Semiconductor - para aplicaciones automovilísticas / resistencia de alta tensión / de alta velocidad
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Características

Especificaciones
SiC, para aplicaciones automovilísticas, resistencia de alta tensión, de alta velocidad
Material
de carburo de silicio

Descripción

Descripción general
Este dispositivo es un MOSFET SiC en paquete TSC3PAK para montaje superficial. La estructura de disipación por la cara superior sitúa la superficie térmica en la parte superior del paquete, permitiendo el montaje automatizado y alcanzando una disipación térmica comparable a la de paquetes de orificio pasante. La estructura de ranura propietaria de ROHM asegura una distancia de fuga de 6,66 mm, soportando un voltaje pico AC de 1200 V en entornos de Grado de Contaminación 2. El dispositivo utiliza la tecnología SiC MOSFET de 4.ª generación (Trench) de ROHM para lograr baja Rds(on) y conmutación de alta velocidad, reduciendo pérdidas de conmutación y mejorando la eficiencia en circuitos de conversión de potencia.

Características
  • Calificado según AEC-Q101 (grado automotriz)
  • Gran distancia de fuga: min. 6,66 mm
  • Baja resistencia drenador-fuente en conducción (Rds(on))
  • Alta velocidad de conmutación y bajas pérdidas de conmutación
  • Rápida recuperación inversa
  • Fácil de usar en paralelo para aumentar la corriente
  • Requisitos de control sencillos
  • Chapado de pines sin Pb; conforme a RoHS


Aplicaciones
  • Sistemas automotrices: cargadores a bordo (OBC), compresores eléctricos
  • Inversores fotovoltaicos
  • Fuentes de alimentación para servidores y telecom de alto rendimiento


Especificaciones técnicas
  • Número de pieza (variante de página): SCT4050KTWHRTCR
  • Nombre del modelo: SCT4050KTWHR
  • Paquete: TSC3PAK (disipación térmica por la parte superior)
  • Tensión drenador-fuente (Vdss): 1200 V
  • Corriente de drenador (Id): 31 A
  • Resistencia drenador-fuente en conducción (Typ.) (Rds(on)): 50 mΩ
  • Generación: 4th Gen (Trench)
  • Disipación de potencia total: 128 W
  • Temperatura de unión (Tj máx): 175 °C
  • Temperatura de almacenamiento: -40 °C a 175 °C
  • Tamaño del paquete: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)
  • Tipo de embalaje: Taping
  • Cantidad por unidad / Cantidad mínima por paquete: 600
  • RoHS: Yes
  • MSL: 1
  • Estándar común: AEC-Q101 (Automotive Grade)
  • Estado: Recommended


Embalaje y notas
El TSC3PAK está optimizado para disipación por la parte superior, permitiendo montaje automático con rendimiento térmico similar al de paquetes de orificio pasante. ROHM proporciona hojas de datos y notas de aplicación para apoyar el diseño térmico e integración del sistema.

Catálogos

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Ferias

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

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