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MOSFET de carburo de silicio SCT4036KTW
resistencia de alta tensiónde alta velocidadSiC

MOSFET de carburo de silicio - SCT4036KTW - ROHM Semiconductor - resistencia de alta tensión / de alta velocidad / SiC
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MOSFET de carburo de silicio - SCT4036KTW - ROHM Semiconductor - resistencia de alta tensión / de alta velocidad / SiC - imagen - 2
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Características

Especificaciones
de carburo de silicio, resistencia de alta tensión, de alta velocidad, SiC
Material
de carburo de silicio, SiC, semiconductor

Descripción

Descripción general
Este MOSFET SiC en paquete TSC3PAK para montaje superficial ofrece baja resistencia ON y conmutación de alta velocidad para la conversión de potencia en alta tensión. El paquete utiliza una estructura de disipación térmica en la cara superior que permite el montaje automatizado manteniendo un rendimiento térmico comparable al de los paquetes de orificio pasante convencionales (TO-247-4L). Una estructura ranurada garantiza una distancia de fuga de 6,66 mm, permitiendo soportar un pico de AC de 1200 V en entornos de Grado de Contaminación 2.

Paquete / Diseño térmico
Paquete TSC3PAK para montaje superficial con disipación por la cara superior; estructura ranurada que asegura 6,66 mm de distancia de fuga; dimensiones del paquete 14,00 × 18,58 × 3,50 mm; rendimiento térmico adecuado para aplicaciones de alta potencia con montaje automatizado.

Aplicaciones
  • Cargadores a bordo (OBC) y compresores eléctricos para xEV
  • Inversores fotovoltaicos (PV) y convertidores de energía
  • Fuentes de alimentación para servidores y módulos de potencia industriales

Características
  • Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm
  • Baja resistencia drenador‑fuente en conducción (Tip. 36 mΩ)
  • Conmutación rápida y reducción de pérdidas de conmutación
  • Recuperación inversa rápida
  • Fácil paralelado para corrientes mayores
  • Control de puerta sencillo
  • Recubrimiento de terminales sin plomo; conforme RoHS

Especificaciones
  • Número de pieza: SCT4036KTWTCR
  • Modelo: SCT4036KTW
  • Estado: Recomendado
  • Paquete: TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
  • Tipo de embalaje: Taping
  • Cantidad por unidad: 600
  • Cantidad mínima por paquete: 600
  • RoHS: Yes
  • MSL: 1
  • Tensión drenador‑fuente (V): 1200
  • Resistencia en conducción drenador‑fuente (Tip.) (mΩ): 36
  • Generación: 4th Gen (Trench)
  • Corriente de drenador (A): 41
  • Disipación total de potencia (W): 163
  • Temperatura de unión (Máx.) (°C): 175
  • Temperatura de almacenamiento (Min./Máx.) (°C): -40 / 175
  • Tamaño del paquete (mm): 14,0 × 18,58 (t = 3,625)

Precaución
Este producto es de GRADE STANDARD y no se recomienda para aplicaciones automotrices que requieran calificación automotriz.

Catálogos

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Ferias

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 nov. 2026 Munich (Alemania) Hall C3 - Stand 520

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