MOSFET SiC SCT4062KTWHR

para aplicaciones automovilísticasde alta velocidadde carburo de silicio

Resumen
El MOSFET SiC SCT4062KTWHR en paquete TSC3PAK está diseñado para aplicaciones de conmutación y conversión de potencia en alta tensión. Combina baja resistencia a la conducción y conmutación rápida para reducir pérdidas en circuitos de conversión de potencia, manteniendo fiabilidad para entornos automotrices e industriales.

Paquete y beneficios clave
TSC3PAK: paquete de montaje superficial con disipación térmica en la parte superior, compatible con montaje automatizado y con rendimiento térmico comparable a paquetes through‑hole tipo TO‑247. La ranura propietaria de ROHM asegura una distancia de fuga mínima de 6,66 mm, soportando 1200 V pico AC en entornos de Grado de Contaminación 2.

Características

• Calificado según AEC‑Q101 (grado automotriz)
• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm
• Baja resistencia Drain‑Source en conducción (RDS(on) típ. 62 mΩ)
• Conmutación rápida y recuperación inversa rápida
• Fácil operación en paralelo y requisitos de conducción sencillos
• Recubrimiento de terminales sin plomo; conforme a RoHS

Ejemplos de aplicaciones

• Automoción: cargadores a bordo (OBC), compresores eléctricos
• Inversores fotovoltaicos (PV) y convertidores de energía renovable
• Fuentes de alimentación para servidores y telecomunicaciones

Antecedentes de desarrollo
Diseñado para responder a la demanda de mayor eficiencia y montaje automatizado, este MOSFET SiC en formato SMD logra rendimiento térmico equivalente a paquetes through‑hole, reduciendo costes de montaje y manteniendo alta fiabilidad para sistemas xEV e industriales.

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: SCT4062KTWHRTCR
• Nombre de modelo: SCT4062KTWHR
• Paquete: TSC3PAK (SMD, disipación por la parte superior)
• Tipo de embalaje: Taping
• Cantidad por unidad / Cantidad mínima: 600
• RoHS: Yes
• MSL: 1
• Tensión Drain‑Source (V): 1200 V
• Resistencia Drain‑Source en conducción (Typ.) (mΩ): 62 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (A): 25 A
• Disipación de potencia total (W): 106 W
• Temperatura de unión (Max.) (°C): 175 °C
• Temperatura de almacenamiento (°C): -40 a 175 °C
• Tamaño del paquete (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Estándar común: AEC‑Q101 (Automotive Grade)