MOSFET resistencia de alta tensión SCT4062KTW

de alta velocidadpara aplicaciones automovilísticasSiC

Descripción general
Este MOSFET SiC está disponible en el paquete TSC3PAK para montaje superficial, con superficie de disipación térmica en la cara superior y una ranura propietaria que asegura una distancia de fuga de 6,66 mm. El dispositivo soporta un pico de tensión AC de 1200 V en entornos de grado de contaminación 2, ofrece baja resistencia en conducción y conmutación de alta velocidad, y está orientado a conversiones de potencia de alta eficiencia en aplicaciones industriales.

Características clave

• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm
• Baja resistencia drenador-fuente en conducción (Típ. 62 mΩ)
• Conmutación rápida y recuperación inversa rápida
• Fácil de paralelizar y simple de conducir
• Disipación térmica superior compatible con SMT automatizado
• Electrodeposición sin Pb; conforme a RoHS

Encapsulado y disipación
El paquete TSC3PAK para SMT con disipación por la cara superior proporciona eliminación de calor comparable a paquetes through-hole convencionales (clase TO-247) y permite el montaje SMT automatizado. La estructura de ranura mejora la distancia de fuga y la fiabilidad del aislamiento en sistemas de alta tensión.

Aplicaciones

• Cargadores embarcados (OBC) y compresores eléctricos en xEV (ver nota sobre uso automotriz)
• Inversores fotovoltaicos y convertidores de energía renovable
• Fuentes de alimentación para servidores y equipos industriales de potencia de alta eficiencia

Información adicional
Pertenece a la 4ª generación de MOSFET SiC (Trench) de ROHM, que ofrece baja Rds(on) y conmutación rápida para reducir pérdidas de conmutación. Nota importante: este producto es de GRADO ESTÁNDAR y no se recomienda su uso en aplicaciones automotrices críticas.

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: SCT4062KTWTCR
• Nombre comercial: SCT4062KTW
• Estado: Recomendado
• Paquete: TSC3PAK
• Tipo de embalaje: Taping
• Cantidad por carrete: 600
• Cantidad mínima por paquete: 600
• RoHS: Sí
• MSL: 1
• Tensión Drain-Source (V): 1200 V
• Resistencia ON Drain-Source (Típ.): 62 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (A): 25 A
• Disipación de potencia total (W): 106 W
• Temperatura de unión (Máx.) (°C): 175 °C
• Rango de temperatura de almacenamiento (°C): -40 a 175
• Tamaño del paquete (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)