MOSFET resistencia de alta tensión SCT4027KTWHR

de alta velocidadde carburo de siliciopara aplicaciones automovilísticas

Descripción general
Este MOSFET SiC en paquete TSC3PAK para montaje superficial presenta disipación térmica por la parte superior, ofreciendo rendimiento térmico comparable a paquetes through-hole al tiempo que permite el montaje SMD automatizado. La estructura de ranura propietaria de ROHM asegura una distancia de fuga mínima de 6,66 mm, soportando 1200 V pico AC en entornos de grado de contaminación 2. El dispositivo proporciona baja resistencia de conducción y conmutación rápida para reducir pérdidas en la conversión de potencia.

Antecedentes de desarrollo
Con la expansión del SiC en circuitos de conversión de potencia (p. ej., cargadores embarcados y compresores eléctricos) y equipos industriales que requieren alta eficiencia, existe demanda de dispositivos SiC SMD compatibles con montaje automatizado y con rendimiento térmico comparable a through-hole. El SCT4027KTWHR satisface esta necesidad combinando TSC3PAK de enfriamiento superior y la tecnología Trench de 4.ª generación de ROHM.

Ejemplos de aplicaciones

• Automoción: cargadores embarcados (OBC), compresores eléctricos
• Inversores fotovoltaicos
• Fuentes de alimentación para servidores y sistemas de alto rendimiento

Características principales

• Calificado AEC-Q101 (grado automoción)
• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm (ranura ROHM)
• Baja Rds(on) (típ. 27 mΩ)
• Conmutación rápida y recuperación inversa rápida
• Fácil de paralelizar y conducción simple
• Recubrimiento sin Pb; conforme a RoHS

Especificaciones técnicas

• Referencia: SCT4027KTWHRTCR
• Estado: Recomendado
• Paquete: TSC3PAK (disipación superior)
• Embalaje: Taping; Cantidad por unidad: 600
• Vds: 1200 V
• Rds(on) típ.: 27 mΩ
• Corriente de drenador: 54 A
• Potencia disipada total: 208 W
• Temp. unión (máx): 175 °C
• Temp. almacenamiento: -40 a 175 °C
• Tamaño del paquete: 14.0 × 18.58 mm (t = 3.625)
• Normas: AEC-Q101, RoHS; MSL = 1