MOSFET SiC SCT4090KTWHR

de carburo de silicioSiCde carburo de silicio

Descripción general
El SCT4090KTWHR es un MOSFET SiC en paquete TSC3PAK para montaje superficial con disipación de calor por la parte superior. TSC3PAK ofrece una disipación térmica comparable a los paquetes perforados tipo TO-247, a la vez que permite el montaje automático en superficie. La estructura de ranura propietaria de ROHM asegura una distancia de fuga mínima de 6,66 mm, soportando un pico de tensión AC de 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. El dispositivo presenta baja resistencia en conducción y conmutación rápida, reduciendo pérdidas de conmutación y mejorando la eficiencia en circuitos de conversión de potencia. Aplicaciones típicas: cargadores embarcados (OBC), compresores eléctricos para xEV, inversores fotovoltaicos y fuentes de alimentación para servidores.

Características clave

• Calificado según AEC-Q101 (grado automoción)
• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm
• Baja resistencia en conducción (RDS(on) baja)
• Alta velocidad de conmutación
• Recuperación inversa rápida
• Fácil de conectar en paralelo
• Fácil de conducir
• Revestimiento de soldadura sin Pb; conforme a RoHS

Paquete y mecánica

• Paquete: TSC3PAK (montaje superficial con disipación térmica superior)
• La disipación superior permite el montaje automatizado con disipación comparable a paquetes perforados clase TO-247
• Estructura de ranura que garantiza la distancia de fuga (6,66 mm) para soportar 1200 V AC pico en grado de contaminación 2
• Tamaño del paquete: 14,0 × 18,58 mm (espesor 3,625 mm)

Aplicaciones

• Sistemas automotrices: cargadores embarcados (OBC), compresores eléctricos
• Circuitos de conversión para xEV para mejorar la velocidad de carga y la autonomía
• Equipos industriales: inversores PV, fuentes de alimentación de servidor de alto rendimiento

Recursos de diseño e información de apoyo
Están disponibles recursos para diseño y verificación, incluyendo la hoja de datos del producto, modelos SPICE/PLECS/PSIM, notas de aplicación (monitorización, circuitos snubber, supresión de oscilaciones en paralelo, directrices de control de puerta) y documentos de diseño/ caracterización térmica específicos de TSC3PAK y de los MOSFET SiC de 4ª generación de ROHM.

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: SCT4090KTWHRTCR
• Estado: Recomendado
• Modelo: SCT4090KTWHR
• Tensión drenador-fuente (V): 1200 V
• Resistencia en conducción (Typ.) RDS(on): 90 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (ID): 18 A
• Disipación de potencia total: 81 W
• Temperatura de unión (Max.): 175 °C
• Rango de temperatura de almacenamiento: -40 a 175 °C
• Tamaño del paquete: 14,0 × 18,58 mm (t = 3,625 mm)
• Tipo de embalaje: Taping
• Cantidad por unidad: 600 (cantidad mínima por paquete: 600)
• RoHS: Sí
• MSL: 1