Sustrato de cerámica AMB

nitruro de aluminiopara electrónica de potenciametalizado para la industria electrónica

Visión general del producto
AMB (Active Metal Brazing) es un método de unión a alta temperatura que crea un enlace químico entre cerámica y metal mediante elementos activos (Ti, Zr) en el material de aporte, formando una capa reactiva que puede ser humedecida por el metal de aporte líquido. La unión química resultante ofrece alta resistencia mecánica y fiabilidad a largo plazo para el encapsulado de dispositivos de potencia.

Elementos activos y notas de proceso
El contenido de elementos activos se mantiene típicamente entre el 2 % y el 8 % para conservar la actividad. Un contenido excesivo aumenta la fragilidad de la aleación de aporte y puede reducir la resistencia del sellado; un contenido insuficiente disminuye el mojado de la cerámica y puede impedir el sellado hermético completo.

Ventajas

• Unión química entre cerámica y soldadura metálica activa a alta temperatura → mayor resistencia de unión y fiabilidad mejorada
• Posibilidad de diferentes espesores de cobre en una sola placa
• Proceso respetuoso con el medio ambiente
• Alta resistencia a ciclos térmicos y temperaturas bajas
• Compatible con automatización completa para alta eficiencia de producción y bajo coste
• Espesores de cobre 0,1–0,5 mm disponibles, adecuados para encapsulado de alta potencia

Aplicaciones

• Módulos de potencia SiC
• Módulos IGBT
• Inversores para accionamientos eléctricos
• Inversores fotovoltaicos
• Convertidores de energía eólica
• Convertidores de frecuencia industriales
• Fuentes conmutadas de alta potencia
• Fuentes para estaciones base 5G
• Fuentes de alta potencia para centros de datos
• Módulos RF de comunicaciones

Propiedades
Si3N4 (Nitruro de silicio)
Composición: 96 % SiN
Espesor (mm): 0,2; 0,32; 0,35; 0,635; 0,4–1,5
Densidad (g/cm3): 3,2 ± 0,25
Conductividad térmica (20°C, W/m·K): 85+
Resistencia a la flexión (MPa): 700–800
Constante dieléctrica (1 MHz): 8
Pérdida dieléctrica (1 MHz): 0,001
Resistencia dieléctrica (kV/mm): 20
Resistividad volumétrica (Ω·cm): 1e14

AlN (Nitruro de aluminio)
Composición: 96 % AlN
Espesor (mm): 0,25; 0,32; 0,635
Densidad (g/cm3): 3,3
Conductividad térmica (20°C, W/m·K): 170+
Resistencia a la flexión (MPa): 350
Constante dieléctrica (1 MHz): 9
Pérdida dieléctrica (1 MHz): 0,0005
Resistencia dieléctrica (kV/mm): 20
Resistividad volumétrica (Ω·cm): 1e14

Cobre (sin oxígeno)
Pureza (%): 99,99
Dureza (HV): 60–110
Conductividad (MS/m): 58,6
Espesor (mm): 1,2; 1,0; 0,8; 0,5; 0,4; 0,3; 0,25; 0,2

Sustrato AMB (general)
Tamaño máximo (mm): 190 × 140
Espaciado mínimo de líneas (mm): ≥0,5
Ancho de línea: personalizado
Resistencia de pelado de la capa de cobre (mín) (N/mm): >10
Soldabilidad (%): >95%
Entrega: piezas pequeñas o paneles
Estados de superficie: Cu / Au / Ag

Especificaciones / datos técnicos

• Opciones de material: Si3N4 (96 % SiN) y AlN (96 % AlN)
• Espesores Si3N4: 0,2; 0,32; 0,35; 0,635; 0,4–1,5 mm
• Espesores AlN: 0,25; 0,32; 0,635 mm
• Densidad Si3N4: 3,2 ± 0,25 g/cm³; densidad AlN: 3,3 g/cm³
• Conductividad térmica: Si3N4 ~85+ W/m·K; AlN ~170+ W/m·K (20°C)
• Resistencia a la flexión: Si3N4 700–800 MPa; AlN ~350 MPa
• Constante / pérdida dieléctrica: Si3N4 8 / 0,001 (1 MHz); AlN 9 / 0,0005 (1 MHz)
• Resistencia dieléctrica: 20 kV/mm (ambos)
• Resistividad volumétrica: 1e14 Ω·cm (ambos)
• Cobre: sin oxígeno, pureza 99,99 %; conductividad 58,6 MS/m; espesores 0,2–1,2 mm
• Mecánica / montaje: resistencia al pelado >10 N/mm; soldabilidad >95%
• Tamaño máximo del sustrato: 190 × 140 mm; espaciado mínimo de líneas ≥0,5 mm; ancho de línea personalizable
• Opciones de acabado superficial: Cu / Au / Ag