Transistor MOSFET IPA60R160P7

de potenciade conmutación

El MOSFET 600V CoolMOS™ P7 superjunction es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de una alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherentemente baja carga de puerta (QG) de la plataforma de séptima generación CoolMOS™ aseguran su alta eficiencia. Resumen de las características: Eficiencia 600V P7 permite un excelente FOM RDS(on)xEoss y RDS(on)xQG Facilidad de uso Diodo ESD integrado de 180mN y superior RDS(on)s Resistencia de puerta integrada RG Diodo de cuerpo robusto Amplio portafolio en paquetes de montaje a través de orificios y en superficie Están disponibles tanto piezas de grado estándar como de grado industrial Beneficios: Eficiencia Excelentes FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss permiten una mayor eficiencia Facilidad de uso Facilidad de uso en entornos de fabricación al detener los fallos de ESD que se producen El RG integrado reduce la sensibilidad de oscilación de MOSFET MOSFET es adecuado tanto para topologías de conmutación dura como resonante, como PFC y LLC Excelente robustez durante la conmutación dura del diodo corporal visto en la topología LLC Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias de salida Piezas disponibles para aplicaciones industriales y de consumo