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Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V
... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de ...
Infineon Technologies AG
Tensión: 7,5 V
... de salida de radio portátil de banda UHF Etapa de salida para radio portátil de 700-800 MHz Driver genérico de 6 W para transistores de etapa final ISM y broadcast ...
... Tomas para IC de potencia Tipo estándar Simple en línea ●Cómo hacer un pedido ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Número de posiciones de 2 a 16 Rigidez dieléctrica - Resistencia de aislamiento - - Temperatura de funcionamiento EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x ...
JC CHERRY INC.
... Zócalo de tamaño medio para IC de potencia Tipo agujero pasante Estilo dual 2.54mm / 0.100" Paso ●Cómo hacer un pedido ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Número de posiciones 04,12,20 (Número par) *Si desea otro número de posiciones, póngase ...
JC CHERRY INC.
... Tomas de transistor de potencia Paso Alta temperatura Baja desgasificación Tipo multipolar Contacto redondo de alta fiabilidad que proporciona un buen rendimiento eléctrico y mecánico. Las tomas de prueba para transistores ...
JC CHERRY INC.
Tensión: 110, 265 V
... Descripción TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET de 700 V de potencia, fuente de corriente conmutada de alto voltaje, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallas y otros circuitos de control en un dispositivo ...
Power Integrations
Corriente: 5, 20, 30, 50 A
Tensión: 600 V
... El IGBT discreto Bourns® de la serie BID combina la tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar, creando el componente adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo ...
Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V
... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Corriente: 25 mA
Tensión: 20 V
... Tensión Colector Emisor - Vceo 20 V Corriente continua de colector - Ic - 25 mA Polaridad - pol - NPN Disipación de potencia - Ptot - 0,200 W Temperatura de unión - Tjmax - 150 °C Ganancia de corriente continua - hfe - 85 - VcE - 10V ...
Diotec
Corriente: 200 mA
Tensión: 40 mV
... Aplicaciones típicas Tratamiento de señales, Conmutación, Amplificación Grado comercial l) Características Uso general Conforme a RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...
Diotec
Corriente: 100 mA
Tensión: 65, 45, 30 V
... Aplicaciones típicas Tratamiento de señales Conmutación Amplificación Grado comercial / industrial Sufijo -Q: Conforme a AEC-Q101x) Sufijo -AQ: en calificación AEC-Q101 *) Características Propósito general Tres grupos de ganancia de ...
Diotec
Corriente: 1 mA - 20 mA
Tensión: 2,7 V
Broadcom
Corriente: 800 A
Tensión: 1.200 V
... El NXH800H120L7QDSG es un módulo de potencia IGBT de medio puente nominal. Los IGBT integrados Field Stop Trench 7 y los diodos Gen. 7 proporcionan menores pérdidas de conducción y de conmutación, lo ...
Fairchild Semiconductor
Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
Los módulos de energía IGBT de Hitachi Energy se encuentran disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos de diodos duales e IGBT de interruptor chopper de patas de fase simple/dual. Los módulos HiPak ...
Corriente: 8 A
Tensión: 1.700 V
... QC962-8A es un controlador de IGBT híbrido integrado. Su función principal es recibir la señal de onda cuadrada del controlador, y convertirla en una señal gâte aislada y amplificada que Controla el ciclo de encendido ...
MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd.
Corriente: 95 A
Tensión: 40 V
... El RH6G040BG es un MOSFET de potencia con baja resistencia de conexión y un paquete de alta potencia, adecuado para la conmutación. Baja resistencia de encendido Paquete de molde pequeño de alta potencia (HSMT8) Revestimiento sin Pb; ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 0,4 A - 45 A
Tensión: 36 V - 70 V
... ST ofrece una amplia gama de conmutadores inteligentes de 3 y 5 patillas (OMNIFET) para automoción basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control ...
STMicroelectronics
Corriente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensión: 4.500, 5.200 V
... prensa y diodos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia en una avanzada carcasa modular que garantiza una presión de chip uniforme en pilas de múltiples dispositivos. Aunque el paquete más ...
SEMIKRON
Tensión: -400 V - 1.000 V
... Vishay es el fabricante número uno mundial de MOSFETs de baja potencia. La línea de productos MOSFET de Vishay Siliconix power incluye dispositivos en más de 30 tipos de paquetes, incluyendo las familias MICRO FOOT® y PowerPAK® térmicamente ...
Tensión: 45 V
... Los tipos BCX51, BCX52 y BCX53 de CENTRAL SEMICONDUCTOR son transistores de silicio PNP fabricados mediante el proceso planar epitaxial, moldeados con epoxi en un encapsulado de montaje superficial, diseñados para aplicaciones ...
Central Semiconductor
Corriente: 2 A
Tensión: 36 V
... Con este MOSFET se puede controlar una tensión de hasta 36 voltios. Con la modulación de la anchura de los impulsos, se puede reducir la tensión media cuadrática (por ejemplo, para atenuar una luz LED). COMPATIBLE CON Arduino, Raspberry ...
... Los HEMT de GaN, los FET de GaA, los MMIC y las soluciones HEMT de bajo ruido ofrecen un alto rendimiento y una fiabilidad sin concesiones para aplicaciones de radar, estaciones base, SATCOM, punto a punto y espaciales. ...
Corriente: 150 A
Tensión: 600 V
... 600V. Interruptores - de medio puente. Los módulos IGBT están alojados en una caja industrial estándar que facilita la integración del dispositivo en los equipos existentes. Los módulos IGBT (Transistor ...
... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...
Tensión: 20, 50 V
... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...
Diodes Incorporated
Corriente: 10, 25 A
Tensión: 1.200 V
... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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