Módulo de transistor IGBT RTK600SG120B
de conmutación

módulo de transistor IGBT
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de conmutación
Corriente

600 A

Tensión

1.200 V

Descripción

Características: -1200V600A,VCE(sat)(tip.)=2.1V -Pérdidas menores y mayor energía -Excelente resistencia a cortocircuitos -62mm módulo simple Aplicaciones Generales: Los IGBTs de Rongtech ofrecen pérdidas más bajas y mayor energía para aplicaciones tales como el inversor.drive.motor y otras aplicaciones de conmutación suave.

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Catálogos

RTK600SG120B
RTK600SG120B
7 Páginas
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