Módulo de transistor IGBT RTU200HF120FA2
de potencia

módulo de transistor IGBT
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de potencia
Corriente

200 A

Tensión

1.200 V

Descripción

Características: -1200V200A,VCE(sat)(typ.)=3.0V -Velocidad de conmutación ultrarrápida -Excelente resistencia a cortocircuitos -Módulo de medio puente de 62 mm Aplicaciones Generales: Los IGBT de Rongtech ofrecen una velocidad de conmutación ultrarrápida para aplicaciones como soldadura, calentamiento inductivo, UPS y otras aplicaciones de alta frecuencia

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Catálogos

RTU200HF120FA2
RTU200HF120FA2
7 Páginas
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.