- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Módulo de transistor IGBT RTS600HF120T9Hde conmutación
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de conmutación
Descripción
Características:
- Capacidad de cortocircuito> 10ps
- Baja tensión de saturación: Vce(sat) = 1 -85V @ le = 600A , Tc=25'C
- Baja pérdida de conmutación
- 100% RBSOA probado - (2*lc)
- Baja inductancia de dispersión
- Sin plomo, cumple con los requisitos de la directiva RoHS
Aplicaciones:
- Convertidores de alta potencia
- Accionamientos de motor
- Sistemas UPS
- Aerogeneradores
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Catálogos
RTS600HF120T9H IGBT Module
8 Páginas
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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.