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... Descripción general
El R6055XNJ2 es un
MOSFET de potencia Super Junction N canal de 600 V, optimizado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Combina baja resistencia de conducción y conmutación rápida en un encapsulado ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
Este
MOSFET SiC en paquete TSC3PAK para montaje superficial presenta disipación térmica por la parte superior, ofreciendo rendimiento térmico comparable a paquetes through-hole al tiempo que permite el montaje ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
Este
MOSFET SiC en paquete TSC3PAK para montaje superficial ofrece baja resistencia ON y conmutación de alta velocidad para la conversión de potencia en alta tensión. El paquete utiliza una estructura de ...
ROHM Semiconductor
... Resumen
Dispositivo SiC
MOSFET en paquete TSC3PAK SMD con estructura de disipación térmica en la superficie superior. El paquete sitúa la superficie de disipación térmica en la parte superior, ofreciendo un rendimiento de disipación ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
Este
MOSFET SiC se presenta en un encapsulado TSC3PAK con superficie de disipación térmica en la parte superior, lo que permite el montaje automatizado y ofrece un rendimiento térmico comparable al de los ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
Producto:
MOSFET de Carburo de Silicio (SiC) en paquete TSC3PAK con estructura de disipación térmica por la cara superior. La superficie de disipación superior ofrece un rendimiento térmico comparable al ...
ROHM Semiconductor
... Resumen del producto
Este
MOSFET SiC en paquete TSC3PAK incorpora una superficie de disipación térmica en la parte superior que proporciona un rendimiento térmico comparable a los paquetes a través de placa, manteniendo la compatibilidad ...
ROHM Semiconductor
... Resumen
Este producto es un
MOSFET SiC en encapsulado TSC3PAK de montaje superficial con superficie de disipación térmica en la parte superior. La disipación por la cara superior permite el montaje automatizado y proporciona ...
ROHM Semiconductor
... Resumen
El SCT4036DTW es un
MOSFET SiC en paquete SMD TSC3PAK con disipación de calor por la parte superior. La superficie de disipación situada en la parte superior del paquete permite el montaje automático en SMD proporcionando ...
ROHM Semiconductor
... Descripción general
Este producto es un
MOSFET SiC en el encapsulado TSC3PAK con estructura de disipación térmica superior. TSC3PAK ofrece un rendimiento térmico próximo al de encapsulados through-hole convencionales, manteniendo ...
ROHM Semiconductor
... inversores de tracción Convertidores CC/CC de alto voltaje Cargadores externos Productos finales 1200V SiC MOSFET Dados desnudos Características mOSFET de SiC de 3ª generación Alta tensión de bloqueo 1200V Bajas pérdidas ...
... Visión general
Los MOSFETs de carburo de silicio (SiC) mSiC® permiten frecuencias de conmutación más altas y una mayor eficiencia del dispositivo, reduciendo el tamaño de los componentes, soportando mayores tensiones de bloqueo y ofreciendo ...
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CDM2205-800FP es un MOSFET de 800 voltios de canal N diseñado para aplicaciones de alto voltaje y de rápida conmutación como la corrección del factor de potencia (PFC), iluminación ...
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