MOSFET de carburo de silicio SCT4045DTWHR

para aplicaciones automovilísticasresistencia de alta tensiónde alta velocidad

Resumen del producto
Este MOSFET SiC en paquete TSC3PAK incorpora una superficie de disipación térmica en la parte superior que proporciona un rendimiento térmico comparable a los paquetes a través de placa, manteniendo la compatibilidad con montaje superficial. La estructura de ranura propietaria de ROHM asegura una distancia de fuga de 6,66 mm, permitiendo soportar picos de 1200 V AC en entornos con Pollution Degree 2. El dispositivo ofrece bajo RDS(on) y conmutación rápida para reducir pérdidas por conmutación y mejorar la eficiencia en circuitos de conversión de potencia. Aplicaciones típicas: cargadores embarcados xEV, compresores eléctricos, inversores fotovoltaicos y fuentes de alimentación para servidores.

Ejemplos de aplicación

• Automoción: cargadores embarcados (OBC), compresores eléctricos
• Industrial / Energía: inversores PV, fuentes para servidores

Características

• Calificado AEC-Q101 (grado automotriz)
• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm (soporta 1200 V AC pico en Pollution Degree 2)
• Baja resistencia en conducción (RDS(on) típico 45 mΩ)
• Conmutación rápida y recuperación inversa rápida
• Fácil paralelado y sencillo de driver
• Recubrimiento sin plomo; conforme a RoHS

Especificaciones de la pieza
Número de pieza | SCT4045DTWHRTCR
Estado | Recomendado
Paquete | TSC3PAK
Tipo de embalaje | Taping
Cantidad por unidad | 600
Cantidad mínima por paquete | 600
RoHS | Sí
MSL | 1

Especificaciones técnicas

• Tensión drenador-fuente (Vds): 750 V
• Resistencia en conducción (típ.) RDS(on): 45 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (Id): 33 A
• Potencia total disipable: 106 W
• Temperatura de unión (máx.): 175 °C
• Temperatura de almacenamiento (mín.): -40 °C
• Temperatura de almacenamiento (máx.): 175 °C
• Tamaño del paquete: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)
• Norma: AEC-Q101 (grado automotriz)