MOSFET de carburo de silicio SCT4065DTWHR

para aplicaciones automovilísticasresistencia de alta tensiónSiC

Resumen
Este producto es un MOSFET SiC en encapsulado TSC3PAK de montaje superficial con superficie de disipación térmica en la parte superior. La disipación por la cara superior permite el montaje automatizado y proporciona un rendimiento térmico comparable al de encapsulados through-hole convencionales (por ejemplo TO-247-4L). La estructura de ranura propietaria de ROHM asegura una distancia de fuga de 6,66 mm, soportando un voltaje pico AC de 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. Incorpora la 4.ª generación de MOSFET SiC (Trench) de ROHM para lograr bajo RDS(on) y conmutación de alta velocidad, reduciendo las pérdidas por conmutación en conversiones de potencia.

Características

• Calificado AEC-Q101 (grado automoción)
• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm
• Baja resistencia en conducción Drain-Source (RDS(on) típ. 65 mΩ)
• Alta velocidad de conmutación y recuperación inversa rápida
• Fácil de paralelizar y sencillo de conducir
• Recubrimiento de pines sin plomo; conforme a RoHS

Encapsulado / Térmico
Encapsulado TSC3PAK SMD con disipación por la parte superior, que proporciona rendimiento térmico similar a los encapsulados through-hole convencionales y permite el montaje automático en PCB. La ranura ROHM asegura la distancia de fuga para diseños de aislamiento seguros en aplicaciones de alta tensión.

Ejemplos de aplicación

• Automoción: cargadores a bordo (OBC), compresores eléctricos
• Inversores fotovoltaicos
• Fuentes de alimentación para servidores de alto rendimiento y conversión de potencia industrial

Especificaciones

• Referencia: SCT4065DTWHRTCR
• Nombre comercial: SCT4065DTWHR
• Estado de la pieza: Recomendado
• Tensión Drain-Source (V): 750 V
• Resistencia en conducción Drain-Source (Typ.) (mΩ): 65 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (A): 24 A
• Disipación de potencia total (W): 81 W
• Temperatura de unión (Max.) (°C): 175 °C
• Temperatura de almacenamiento (Min. / Max.) (°C): -40 / 175
• Encapsulado: TSC3PAK
• Tamaño encapsulado (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Tipo de embalaje: Taping
• Cantidad por unidad / mínima: 600
• RoHS: Sí
• MSL: 1
• Estándar: AEC-Q101 (grado automoción)