ResumenEl SCT4036DTW es un MOSFET SiC en paquete SMD TSC3PAK con disipación de calor por la parte superior. La superficie de disipación situada en la parte superior del paquete permite el montaje automático en SMD proporcionando un rendimiento térmico comparable al de algunos paquetes through-hole. La estructura de ranura propietaria de ROHM garantiza una distancia de fuga de 6,66 mm, soportando picos AC de hasta 1200 V en entornos de grado de contaminación 2 para un diseño fiable de aislamiento en alta tensión. Integra la tecnología SiC MOSFET de 4ª generación de ROHM con bajo Rds(on) y conmutación de alta velocidad para reducir pérdidas de conmutación y mejorar la eficacia de conversión. Producto STANDARD GRADE; no recomendado para aplicaciones automotrices críticas para la seguridad.
Características clave- Amplia distancia de fuga: mín. 6,66 mm (soporta pico AC 1200 V, grado de contaminación 2)
- Bajo Rds(on): Typ. 36 mΩ para reducir pérdidas por conducción
- Conmutación de alta velocidad y recuperación inversa rápida para reducir pérdidas de conmutación
- Fácil paralelado para aumentar la capacidad de corriente
- Características de control de puerta sencillas para una implementación directa
- Recubrimiento de pines sin Pb; conforme a RoHS
Encapsulado y montajePaquete TSC3PAK para montaje superficial con disipación por la parte superior (superficie térmica en la parte superior del paquete). Permite montaje SMD automatizado manteniendo rendimiento térmico comparable a ciertos paquetes through-hole. La ranura propietaria garantiza la distancia de fuga necesaria para diseños de aislamiento en entornos de grado de contaminación 2.
Aplicaciones- Cargadores a bordo y compresores eléctricos para xEVs (STANDARD GRADE; no recomendado para aplicaciones automotrices críticas)
- Inversores fotovoltaicos
- Fuentes de alimentación para servidores de alto rendimiento y equipos industriales de conversión de potencia
Características / especificaciones técnicas- Número de pieza: SCT4036DTWTCR
- Modelo: SCT4036DTW
- Marca: ROHM
- Tensión Drain‑Source (Vds): 750 V
- Resistencia en conducción (Typ.) Rds(on): 36 mΩ
- Generación: 4th Gen (Trench)
- Corriente de drenador (Id): 40 A
- Disipación total de potencia: 128 W
- Temperatura de unión (Máx.): 175 °C
- Rango de temperatura de almacenamiento: -40 °C a 175 °C
- Paquete: TSC3PAK (14,0 x 18,58 mm, t = 3,625 mm)
- Embalaje: Taping; Cantidad por unidad: 600; Cantidad mínima por paquete: 600
- RoHS: Sí; MSL: 1