MOSFET resistencia de alta tensión SCT4020DTWHR

de alta velocidadpara aplicaciones automovilísticasSiC

Descripción general
Este producto es un MOSFET SiC en el encapsulado TSC3PAK con estructura de disipación térmica superior. TSC3PAK ofrece un rendimiento térmico próximo al de encapsulados through-hole convencionales, manteniendo la compatibilidad con montaje superficial automatizado. La estructura de ranura de ROHM asegura una distancia de fuga mínima de 6,66 mm, permitiendo soportar picos de tensión AC de hasta 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. El dispositivo presenta baja resistencia de encendido y conmutación rápida para reducir pérdidas en circuitos de conversión de potencia. Aplicaciones típicas: cargadores a bordo (OBC) y compresores eléctricos para xEV, inversores fotovoltaicos y fuentes de alimentación de servidores.

Paquete y mecánica
Encapsulado: TSC3PAK (disipación térmica por la parte superior). Dimensiones indicadas: 14,0 × 18,58 mm (t = 3,625) y otras referencias 14,00 × 18,58 × 3,50 mm. El diseño térmico superior permite montaje SMT mientras se aproxima al rendimiento térmico de encapsulados through-hole.

Características

• Calificado según AEC-Q101 (grado automoción)
• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm (estructura de ranura ROHM)
• Baja resistencia Drain-Source en conducción (typ. 20 mΩ)
• Conmutación rápida y recuperación inversa rápida
• Fácil paralelización y sencillo de controlar
• Recubrimiento de patas sin plomo; conforme a RoHS

Identificadores y embalaje
Número(s) de pieza: SCT4020DTWHR (producto) / SCT4020DTWHRTCR (detalles). Estado: Recomendado. Tipo de embalaje: Taping. Cantidad por banda/rolo: 600. Cantidad mínima por paquete: 600. RoHS: Sí. MSL: 1.

Información de soporte (resumen)
Folleto técnico, notas de aplicación, guías de diseño térmico y modelos de simulación (SPICE, PLECS, PSIM) disponibles para la familia de productos y el paquete TSC3PAK. La documentación incluye datos de rendimiento térmico, pautas de driver de puerta, recomendaciones de snubber, medidas contra oscilaciones en conexión en paralelo y métodos de medición térmica.

Especificaciones técnicas

• Número de pieza (página): SCT4020DTWHRTCR
• Modelo: SCT4020DTWHR
• Tensión Drain-Source (V): 750 V
• Resistencia Drain-Source en conducción (Typ.) [mΩ]: 20 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador [A]: 69 A
• Disipación de potencia total [W]: 208 W
• Temperatura de unión (Max.) [°C]: 175 °C
• Temperatura de almacenamiento [°C]: -40 a 175
• Tamaño del paquete [mm]: 14,0 × 18,58 (t = 3,625) (TSC3PAK)
• Distancia de fuga: min. 6,66 mm (ranura ROHM)
• Soporte de pico AC en grado de contaminación 2: hasta 1200 V
• Estándar: AEC-Q101 (grado automoción)
• Embalaje: Taping; Cantidad por rollo: 600; Cantidad mínima: 600
• RoHS: Sí; MSL: 1