MOSFET SiC SCT4018KTWHR

de carburo de siliciopara aplicaciones automovilísticasde alta velocidad

Descripción general
Este MOSFET SiC se presenta en un encapsulado TSC3PAK con superficie de disipación térmica en la parte superior, lo que permite el montaje automatizado y ofrece un rendimiento térmico comparable al de los encapsulados tipo TO-247-4L. La estructura de ranura propietaria garantiza una distancia de fuga de 6,66 mm, soportando un pico de tensión AC de 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. El dispositivo ofrece bajo RDS(on) y conmutación de alta velocidad para reducir las pérdidas de conmutación y mejorar la eficiencia en circuitos de conversión de potencia, adecuado para cargadores embarcados (OBC), compresores eléctricos en xEV, inversores fotovoltaicos y fuentes de alimentación para servidores de alto rendimiento.

Antecedentes de desarrollo
La adopción de SiC se ha ampliado más allá de los inversores principales hacia los circuitos de conversión auxiliares (p. ej. OBC, compresores eléctricos) para mejorar la velocidad de carga y la autonomía. Los dispositivos SiC tradicionales usaban encapsulados pasantes para la disipación térmica, lo que limita el montaje automatizado y los diseños de perfil bajo. Este producto proporciona un rendimiento térmico comparable al de los pasantes en un formato montable en superficie, permitiendo el montaje automatizado y mejorando la fiabilidad a nivel placa.

Ejemplos de aplicaciones

• Automoción: cargadores embarcados (OBC)
• Automoción: compresores eléctricos (xEV)
• Energías renovables: inversores PV
• Centros de datos: fuentes de alimentación para servidores

Características

• Calificado según AEC‑Q101 (grado automotriz)
• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm
• Baja resistencia en conducción (RDS(on))
• Alta velocidad de conmutación
• Recuperación inversa rápida
• Fácil de paralelizar
• Conducción de puerta sencilla
• Soldadura de pines sin plomo; conforme a RoHS

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: SCT4018KTWHRTCR
• Nombre comercial: SCT4018KTWHR
• Estado: Recomendado
• Encapsulado: TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
• Tipo de embalaje: Taping
• Cantidad por unidad: 600
• Cantidad mínima por paquete: 600
• RoHS: Sí
• MSL: 1
• Tensión drenador‑fuente (V): 1200
• Resistencia a la conducción drenador‑fuente (Típ.) (mΩ): 18
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (A): 79
• Disipación total de potencia (W): 294
• Temperatura de unión (Máx.) (°C): 175
• Temperatura de almacenamiento (Min.) (°C): -40
• Temperatura de almacenamiento (Máx.) (°C): 175
• Tamaño del paquete (mm): 14,0 × 18,58 (t = 3,625)
• Estándar común: AEC‑Q101 (grado automotriz)