MOSFET de alta velocidad SCT4018KTW

de carburo de silicioresistencia de alta tensiónSiC

Descripción general
Producto: MOSFET de Carburo de Silicio (SiC) en paquete TSC3PAK con estructura de disipación térmica por la cara superior. La superficie de disipación superior ofrece un rendimiento térmico comparable al de paquetes through-hole convencionales, permitiendo a la vez el montaje automatizado en placa. La estructura de ranura propietaria de ROHM garantiza una distancia de fuga amplia (mín. 6,66 mm), admitiendo picos AC de 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. El dispositivo presenta baja resistencia en conducción y conmutación rápida, reduciendo pérdidas de conmutación y mejorando la eficiencia en conversiones de potencia.

Características

• Amplia distancia de fuga: mín. 6,66 mm
• Baja resistencia drain‑source en conducción (típ. 18 mΩ)
• Alta velocidad de conmutación y recuperación inversa rápida
• Fácil paralelado y conducción de puerta sencilla
• Recubrimiento de patillas sin plomo; conforme a RoHS

Paquete / Imágenes
Paquete TSC3PAK (disipación por la parte superior); tamaño del paquete: 14,0 x 18,58 mm (t = 3,625).

Aplicaciones (ejemplos)

• Cargadores embarcados y compresores eléctricos en xEV
• Inversores fotovoltaicos
• Fuentes de alimentación para servidores

Información de la pieza
Número de pieza | SCT4018KTWTCR
Estado | Recomendado
Paquete | TSC3PAK
Tipo de embalaje | Taping
Cantidad por unidad | 600
Cantidad mínima por paquete | 600
RoHS | Sí
MSL | 1

Especificaciones técnicas

• Tensión drain‑source (V): 1200
• Resistencia drain‑source en conducción (típ.) (mΩ): 18
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (A): 79
• Disipación total de potencia (W): 294
• Temperatura de unión (máx.) (°C): 175
• Temperatura de almacenamiento (min./máx.) (°C): -40 / 175
• Tamaño del paquete (mm): 14,0 x 18,58 (t = 3,625)