Blanco de pulverización catódico de wolframio WTi

catódica de titanio

Descripción
WTi (tungsteno‑titanio) combina la alta densidad del tungsteno con la adhesión y resistencia a la corrosión del titanio. Composición típica: ≈ 10 % Ti en peso. WTi actúa como barrera de difusión y capa de adhesión en procesos PVD, impidiendo la difusión de átomos indeseados entre capas funcionales.

Ventajas

• Pureza: > 99,95 % (opciones hasta 99,99 % para semiconductores)
• Alta densidad: ≥ 98 %
• Microestructura homogénea y distribución uniforme de titanio
• Altas velocidades de pulverización por elevada densidad
• Baja generación de partículas durante el depósito

Áreas de aplicación
WTi (≈ 10 % Ti en peso) se utiliza como barrera de difusión y promotor de adhesión en la metalización de microchips (separando metales como Al o Cu del silicio). En células solares flexibles CIGS, una capa WTi evita la difusión de Fe desde sustratos de acero a través del contacto posterior de Mo hasta el semiconductor, preservando la eficiencia incluso con trazas de impurezas. WTi también es apropiado para recubrimientos PVD que exigen baja contaminación particulada y alta velocidad de deposición.

Producción y formatos
Plansee produce cátodos WTi mediante procesos de metalurgia de polvos. Se suministran en formatos planos y rotatorios y en varias dimensiones, con diámetros habituales de hasta 450 mm según configuración y pedido.

Producción y control de calidad
Plansee controla toda la cadena: mezcla de polvos, prensado, sinterización, mecanizado y unión. El control de proceso asegura densidad, pureza y microestructura homogéneas. Pureza mínima garantizada: típicamente 99,95 % (3N5); 99,99 % (4N) disponible para aplicaciones en semiconductores. Alta densidad y pureza reducen la formación de partículas y mejoran los resultados de recubrimiento.

Publicaciones / I+D

• Estudios sobre contaminación por partículas y formación de nódulos en películas W–Ti que correlacionan propiedades del blanco con la generación de partículas durante la deposición por sputtering.
• Artículos sobre las ventajas de la metalurgia de polvos en la fabricación de blancos de pulverización.

Características / especificaciones técnicas

• Sistema material: WTi (Ti típico ≈ 10 % en peso)
• Densidad: ≥ 98 %
• Pureza: > 99,95 % (opciones hasta 99,99 % para semiconductores)
• Contenido de titanio: ≈ 10 % en peso
• Homogeneidad distribución de Ti: ± 0,5 %
• Microestructura: grano fino, < 50 µm
• Formatos disponibles: blancos planos y rotatorios; diámetros hasta 450 mm
• Fabricación: metalurgia de polvos (mezcla, prensado, sinterizado, mecanizado, unión)