Placa de apoyo de molibdeno

de níquelde orode tungsteno

Resumen
Placas base fabricadas en molibdeno (Mo) y tungsteno (W) que ofrecen un sustrato térmicamente compatible para diodos de potencia, tiristores y transistores. Coeficientes de expansión térmica similares reducen las tensiones mecánicas entre semiconductor y portador; la alta pureza del material asegura conductividad térmica fiable.

Ventajas generales

• Diseños personalizados según especificaciones (redondas, cuadradas, rectangulares, con profundidades especiales)
• Opciones de recubrimiento: PVD ultrapuro o galvanoplastia
• Embalaje en sala blanca específico para el cliente tras recubrimiento
• Soporte desde prototipo hasta producción en serie – capacidades internas

Compatibilidad térmica y fiabilidad
La compatibilidad del coeficiente de expansión minimiza tensiones durante los ciclos térmicos y prolonga la vida útil del módulo. Los recubrimientos PVD ultrapuros proporcionan capas homogéneas; la galvanoplastia es alternativa según la aplicación. La producción interna de blancos PVD y el control de proceso garantizan pureza y rendimiento constantes.

Flexibilidad de diseño
Suministramos placas base en diversas geometrías (redondas, cuadradas, rectangulares, profundas/estriadas) y adaptamos espesores y recubrimientos a las necesidades de la aplicación. Prototipos y producción en serie soportados con flujos de proceso a medida.

Calidad y cadena de suministro
El aprovisionamiento de materias primas por proveedores consolidados garantiza trazabilidad y calidad constante de polvos/óxidos de molibdeno y tungsteno. Colaboraciones con procesadores especializados aseguran capacidad de suministro para volúmenes de producción.

Opciones de recubrimiento

• Rutenio (Ru)
• Níquel (Ni)
• Cromo (Cr)
• Plata (Ag)
• Oro (Au)

Propiedades típicas (comparativa)
Molibdeno (Mo) vs Tungsteno (W):
Pureza [%]: Mo 99,97 ; W 99,99
Coeficiente de expansión térmica a 20 °C [ppm/K]: Mo ≈ 5,2 ; W ≈ 4,2
Conductividad térmica a 20 °C [W/(m·K)]: Mo ≈ 142 ; W ≈ 164

Dimensiones típicas (ejemplos)
Arandelas de molibdeno: Espesor de 0,1 mm hasta ≥ 7,0 mm ; Diámetro: 2,5 mm hasta ≥ 150,0 mm
Arandelas de tungsteno: Espesor de 0,4 mm hasta ≥ 7,0 mm ; Diámetro: 2,5 mm hasta ≥ 150,0 mm
Cuadrados/rectángulos Mo: Espesor 0,1 mm ≥ 5,0 mm ; Lado largo 1,0 mm ≥ 70,0 mm ; Lado corto 0,2 mm ≥ 10,0 mm
Cuadrados/rectángulos W: Espesor 0,4 mm ≥ 5,0 mm ; Lado largo 1,0 mm ≥ 70,0 mm ; Lado corto 0,2 mm ≥ 10,0 mm

Procesos y servicios

• Procesamiento de materias primas (manejo de óxidos, mezcla de aleaciones)
• Prensado, sinterizado y tratamientos térmicos
• Conformado y mecanizado de precisión
• Recubrimiento superficial (PVD y galvanoplastia) y embalaje en sala blanca
• Aseguramiento de calidad, ensayos, reciclaje y soporte durante el ciclo de vida

Especificaciones técnicas

• Materiales: molibdeno (Mo), tungsteno (W)
• Pureza: Mo ≈ 99,97 % ; W ≈ 99,99 %
• CTE (20 °C): Mo ≈ 5,2 ppm/K ; W ≈ 4,2 ppm/K
• Conductividad térmica (20 °C): Mo ≈ 142 W/(m·K) ; W ≈ 164 W/(m·K)
• Metales de recubrimiento: Ru, Ni, Cr, Ag, Au
• Procesos de recubrimiento: PVD (ultrapuro) y galvanoplastia
• Embalaje: packaging en sala blanca según cliente
• Soporte productivo: prototipado a serie, fabricación interna de blancos PVD y procesos asociados