Transistores Infineon

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transistor HEMT
transistor HEMT
GNP1070TC-Z

Corriente: 20 A
Tensión: 650 V

... GNP1070TC-Z es un HEMT de GaN de 650 V que ha alcanzado la clase FOM más alta de la industria (Ron*Ciss、Ron*Coss). Es un producto de la serie EcoGaN™ que contribuye a la eficiencia de conversión de potencia y a la reducción de tamaño ...

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ROHM Semiconductor
módulo de transistor MOSFET
módulo de transistor MOSFET
HP8KB6

Corriente: 24 A
Tensión: 40 V

... El HP8KB6 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. CARACTERÍSTICAS: baja resistencia a la conexión pequeño encapsulado de montaje en superficie (HSOP8) revestimiento de plomo sin PB; cumple ...

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ROHM Semiconductor
módulo de transistor MOSFET
módulo de transistor MOSFET
HP8KB7

Corriente: 24 A
Tensión: 40 V

... El HP8KB7 es un MOSFET de baja resistencia a la conexión ideal para aplicaciones de conmutación. CARACTERÍSTICAS: baja resistencia a la conexión pequeño encapsulado de montaje en superficie (HSOP8) revestimiento de plomo sin PB; cumple ...

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ROHM Semiconductor
transistor IGBT
transistor IGBT
StakPak

Corriente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensión: 4.500, 5.200 V

... prensa y diodos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia en una avanzada carcasa modular que garantiza una presión de chip uniforme en pilas de múltiples dispositivos. Aunque el paquete más ...

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QC962-8A

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QP12W05S-37

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
QP12W08S-37A

Corriente: 25 mA
Tensión: 13 V

... CARACTERÍSTICAS - Fuente de alimentación DC-DC aislada incorporada; Fuente de alimentación única topología de accionamiento de la fuente de alimentación - Alta tensión de aislamiento de 3750VAC - Frecuencia de la señal de entrada de hasta ...

transistor IGBT
transistor IGBT
XPT™ series

Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V

... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía ...

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
MG12600WB-BR2MM series

Corriente: 600 A
Tensión: 1.200 V

... Los módulos IGBT de Littelfuse ofrecen la alta eficiencia y las rápidas velocidades de conmutación de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizados para aplicaciones de control ...

transistor bipolar
transistor bipolar

... Toshiba ofrece una amplia gama de transistores bipolares adecuados para diversas aplicaciones, incluidos dispositivos de radiofrecuencia (RF) y de alimentación eléctrica. ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V

... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de ...

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Infineon Technologies AG
transistor IGBT
transistor IGBT
5SN series

Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

... Los módulos de potencia IGBT de Hitachi Energy están disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos IGBT sencillos, dobles / de pata de fase, de chopper y de diodo doble. Los módulos IGBT ...

transistor de potencia
transistor de potencia
PDHS545-NB195-S03-T3

Corriente: 5 A
Tensión: 500 V

... Tomas para transistores de potencia 5.paso de 45 mm / 0,215 Alta temperatura Baja emisión de gases Contacto redondo de alta fiabilidad que proporciona un buen rendimiento eléctrico y mecánico. Los zócalos de prueba para ...

transistor de potencia
transistor de potencia
PDSA-NB195-S0504-GG

Corriente: 5 A

... Tomas para transistores de potencia Para TO-247(4pin) Alta Temp. ℃ Baja emisión de gases Esta toma de prueba para transistores de potencia se adapta al encapsulado TO-247(4pin) y puede utilizarse en ...

transistor de potencia
transistor de potencia
M-L245-BK-T30-P

Corriente: 5 A

... Tomas de prueba para transistores de potencia,Paso personalizado Alta Corriente Paso Tipo estándar/Through Hole Type Baja emisión de gases Si desea evaluar un dispositivo que no se ajusta a las especificaciones estándar, ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
700 V | TOPSwitch-HX

Tensión: 110, 265 V

... Descripción TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET de 700 V de potencia, fuente de corriente conmutada de alto voltaje, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallas y otros circuitos de control en un dispositivo ...

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Power Integrations
transistor transistor bipolar de rejilla aislada
transistor transistor bipolar de rejilla aislada
BID series

Corriente: 5, 20, 30, 50 A
Tensión: 600 V

... El IGBT discreto Bourns® de la serie BID combina la tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar, creando el componente adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo ...

módulo de transistor IGBT
módulo de transistor IGBT
SKiiP 11NAB065V1

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SEMIKRON
transistor FET
transistor FET

... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...

transistor bipolar
transistor bipolar
BFS20

Corriente: 25 mA
Tensión: 20 V

... Tensión Colector Emisor - Vceo 20 V Corriente continua de colector - Ic - 25 mA Polaridad - pol - NPN Disipación de potencia - Ptot - 0,200 W Temperatura de unión - Tjmax - 150 °C Ganancia de corriente continua - hfe - 85 - VcE - 10V ...

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Diotec
transistor bipolar
transistor bipolar
2N39 series

Corriente: 200 mA
Tensión: 40 mV

... Aplicaciones típicas Tratamiento de señales, Conmutación, Amplificación Grado comercial l) Características Uso general Conforme a RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...

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Diotec
transistor bipolar
transistor bipolar
BC54 series

Corriente: 100 mA
Tensión: 65, 45, 30 V

... Aplicaciones típicas Tratamiento de señales Conmutación Amplificación Grado comercial / industrial Sufijo -Q: Conforme a AEC-Q101x) Sufijo -AQ: en calificación AEC-Q101 *) Características Propósito general Tres grupos de ganancia de ...

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Diotec
transistor de efecto de campo
transistor de efecto de campo
COM-MOSFET

Corriente: 2 A
Tensión: 36 V

... Con este MOSFET se puede controlar una tensión de hasta 36 voltios. Con la modulación de la anchura de los impulsos, se puede reducir la tensión media cuadrática (por ejemplo, para atenuar una luz LED). COMPATIBLE CON Arduino, Raspberry ...

transistor IGBT
transistor IGBT

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IXYS
transistor RF
transistor RF
AT-32011

Corriente: 1 mA - 20 mA
Tensión: 2,7 V

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Broadcom
transistor IGBT
transistor IGBT
RV1S series

... Los fotoacopladores para automoción (salida de transistor, salida de CI) están disponibles en paquetes pequeños con alta resistencia dieléctrica (3,75 KV) y funcionamiento a altas temperaturas, hasta 135 °C. Esto facilita ...

módulo de transistor de potencia
módulo de transistor de potencia
AFM906N

Tensión: 7,5 V

... de salida de radio portátil de banda UHF Etapa de salida para radio portátil de 700-800 MHz Driver genérico de 6 W para transistores de etapa final ISM y broadcast ...

transistor bipolar
transistor bipolar
50A02CH

Corriente: -0,5 A
Tensión: -50 V

... 50A02CH es un transistor bipolar, bajo VCE(sat), PNP simple para aplicaciones de amplificación de propósito general de baja frecuencia. Aplicaciones Amplificador de baja frecuencia Conmutación de alta velocidad Accionamiento ...

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Fairchild Semiconductor
transistor MOSFET
transistor MOSFET
L9338

Corriente: 0,4 A - 45 A
Tensión: 36 V - 70 V

... ST ofrece una amplia gama de interruptores inteligentes de 3 y 5 patillas de bajo perfil (OMNIFET) basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control ...

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STMicroelectronics
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IRF series

Tensión: -400 V - 1.000 V

... Vishay es el fabricante número uno mundial de MOSFETs de baja potencia. La línea de productos MOSFET de Vishay Siliconix power incluye dispositivos en más de 30 tipos de paquetes, incluyendo las familias MICRO FOOT® y PowerPAK® térmicamente ...

transistor bipolar
transistor bipolar

Tensión: 0,24 V - 3,5 V

transistor bipolar
transistor bipolar
BCX51

Tensión: 45 V

... DESCRIPCIÓN: Los tipos de SEMICONDUCTOR CENTRAL BCX51, BCX52 y BCX53 son transistores de silicio PNP fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, diseñado para aplicaciones ...

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Central Semiconductor
transistor bipolar
transistor bipolar
BC337-25

Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V

... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO ...

transistor bipolar
transistor bipolar
DMB series

Tensión: 20, 50 V

... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...

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