Diodo láser pulsado PVGR4S12H

de nanosegundode estado sólidoinfrarrojo cercano

Visión general del producto
El PVGR4S12H es un diodo láser pulsado en encapsulado metálico diseñado para operación a 1550 nm. Integra un chip monocavidad quad‑stack con una franja (stripe) de 300 µm (12 mil) y se suministra en un encapsulado metálico 9 mm CD. El dispositivo ofrece potencia pico en pulso elevada, con una potencia pico probada de 58 W @ 40 A con un pulso de 150 ns.

Tecnología y rendimiento
Diseño de pozo cuántico con doble heteroestructura cultivado por MOCVD, optimizado para longitud de onda central 1550 nm. La elección de esta longitud de onda permite aprovechar niveles de emisión permitidos más altos para operación segura para el ojo (posible operación Clase 1 conforme a límites FDA/aplicables). Se ofrecen variantes de potencia pico para ajustarse a los requisitos del sistema.

Características

• Diodo láser pulsado encapsulado en metal para aplicaciones industriales
• Arquitectura de chip monocavidad, quad‑stack
• Ancho de franja (stripe): 300 µm (12 mil)
• Disponible en varias opciones de encapsulado, incluyendo versión 9 mm CD

Documentación
Hoja de datos disponible con especificaciones eléctricas, ópticas y mecánicas, condiciones de prueba y recomendaciones de manipulación.

Especificaciones técnicas

• Longitud de onda central: 1550 nm
• Arquitectura del chip: monocavidad, quad‑stack
• Ancho de franja: 300 µm (12 mil)
• Potencia pico probada: 58 W @ 40 A con pulso de 150 ns
• Variantes de potencia pico disponibles: 7 W, 14 W, 58 W
• Capacidad de potencia pico pulsada: hasta 58 W (según el modelo)
• Estructura activa: pozo cuántico
• Método de crecimiento: MOCVD doble heteroestructura
• Encapsulado: paquete metálico (ej.: 9 mm CD)