Diodo láser pulsado PVGS2S06H

de nanosegundode impulsos cortosde estado sólido

Resumen
El PVGS2S06H es un diodo láser pulsado de 1550 nm en encapsulado metálico, con un chip de cavidad única y doble apilamiento, y un ancho de franja de 150 µm. Está disponible en varias opciones de paquete (incluido TO‑52) y está diseñado para operación con altas potencias pico en pulso.

Tecnología y rendimiento
El dispositivo es una heteroestructura doble crecida por MOCVD centrada en 1550 nm para aprovechar niveles de emisión permitidos superiores y operación segura para el ojo. Con la integración y configuración adecuadas, puede alcanzarse operación en Clase 1 a niveles de salida relativamente altos. La arquitectura está optimizada para operación pulsada de alta potencia pico.

Características clave

• Dispositivo en paquete metálico (opciones TO‑52)
• Chip de cavidad única, doble apilamiento
• Ancho de franja: 150 µm
• Diseñado para pulsos cortos con alta potencia pico

Aplicaciones / Notas
Ofrecido en varios paquetes para cumplir requisitos de integración en sistemas. Las configuraciones apiladas permiten escalar la potencia pico para aplicaciones como telémetría, LIDAR, comunicaciones ópticas en espacio libre y sistemas de prueba/medición que requieren pulsos cortos de alta energía.

Especificaciones técnicas

• Longitud de onda central: 1550 nm
• Arquitectura del chip: cavidad única, doble apilamiento
• Ancho de franja: 150 µm
• Ejemplo probado: 24 W a 20 A con un pulso de 150 ns
• Alta potencia pico pulsada: hasta 50 W
• Potencias pico estándar ofrecidas en la familia PVG: 7 W, 14 W y 58 W (valores de la familia de productos)
• Estructura: pozo cuántico
• Fabricación: heteroestructura doble crecida por MOCVD