Máquina de crecimiento cristalino

El horno de crecimiento de cristales de carburo de silicio es un sistema de calentamiento por inducción diseñado para cultivar monocristales de carburo de silicio mediante el método de deposición física de vapor (PVD) en un entorno inerte (argón). Integra la estructura del horno, gestión de vacío y gases, calentamiento por inducción y control automático informatizado para operaciones de crecimiento estables y repetibles con registro automático del proceso.

Descripción del producto:

• Ensamblajes principales: componentes de la cámara del horno, componentes superiores de la cámara, mecanismo de soporte de muestra, componentes de transmisión de ventana de medida de temperatura, sistema de adquisición y medición de vacío, sistema de gas, sistema de agua, sistema de calentamiento por inducción, sistema de control automático.

Estructura de la cámara de vacío:

• Cámara de crecimiento: estructura de tubo de cuarzo con bridas de sellado superior e inferior en acero inoxidable 316L, tratamiento superficial especial; sellado mediante junta de fluoroelastómero importada.

Método de deposición y calentamiento:

• Calentamiento por inducción de un crisol de grafito que contiene polvo de carburo de silicio; sublimación y deposición sobre una semilla de carburo de silicio (método PVD) en atmósfera de argón.

Sistema eléctrico / de control:

• Sistema de control informatizado con pantalla táctil; proceso controlado por un controlador informático programable (PCC) de alta fiabilidad que permite control totalmente automático y registro de la información del proceso.

Notas adicionales:

• La estructura y el funcionamiento del equipo están diseñados para la estabilidad e incluyen múltiples dispositivos de protección de seguridad; el control de caudal másico y temperatura es preciso.

Especificaciones técnicas:

• Diámetro interno de la cavidad de cuarzo: 400 mm.
• Altura de la cavidad de cuarzo: 1100 mm.
• Diámetro del cristal crecido: capaz de crecer 6 pulgadas.
• Grado de vacío final (en frío, horno vacío): ≤ 6.6E-5 Pa.
• Tasa de detección de fugas de vacío del sistema (cavidad de cuarzo): ≤ 5.0×10-7 Pa·L/s.
• Índice de mantenimiento de presión a 12 horas (horno vacío, en frío): ≤ 5 Pa.
• Tamaño de muestra / referencia de temperatura: 6 pulgadas (tamaño de semilla/cristal soportado).
• Superficie recomendada de instalación: mayor de 12 m²; altura mínima del sitio: 4,5 m.
• Control del proceso: controlador informático programable (PCC) con pantalla táctil y control automático de crecimiento de cristales (automatización completa y registro de datos).