Recarga láser para la industria de la microelectrónica DXP-450B

Resumen

El DXP-450B es un equipo de recubrimiento láser diseñado para preparar películas delgadas superconductoras, películas semiconductoras, películas ferroeléctricas y materiales delgados similares. Es adecuado para investigación de materiales y preparación en pequeños lotes en universidades, institutos de investigación y laboratorios de I+D.

Composición

• Cámara de vacío para sputtering (esférica)
• Plataforma giratoria para blancos (multi-blanco)
• Placa calefactora de sustrato antioxidante
• Circuito de gases de trabajo y sistema de purga/bleed
• Soporte de instalación
• Sistema de medición y monitorización de vacío
• Armario de control eléctrico y electrónica
• Componentes auxiliares e interfaces

Datos técnicos

• Modelo: DXP-450B
• Cámara principal: esférica, Ø450 mm
• Configuración del sistema de vacío: bomba mecánica + bomba molecular
• Presión última: ≤ 6,67×10⁻⁶ Pa (después de horneado y desgasificación)
• Recuperación del vacío: alcanza 5×10⁻³ Pa en ~20 min (tras breve exposición al aire, purga seca y bombeo)
• Plataforma giratoria de blancos: diámetros Ø60 mm o Ø25 mm; hasta 4 blancos montados; control independiente de revolución y rotación; velocidad 5–60 rpm
• Placa de sustrato — tamaño de muestra: 2 pulgadas
• Placa de sustrato — modo de movimiento: rotación continua de la muestra; velocidad 5–60 rpm
• Calentamiento de sustrato: temp. máxima 800℃ ±1℃
• Control de gas: controlador de flujo másico 1 canal
• Escaneo del haz láser: etapa mecánica de escaneo bidimensional (escaneo libre en dos ejes)
• Control por ordenador: control integrado de la plataforma de blancos, rotación de blancos, rotación de muestra, temperatura y escaneo láser
• Huella — unidad principal: 1500 × 900 mm²
• Huella — armario de control eléctrico: 700 × 700 mm² (1 juego)

Especificaciones clave

• Geometría de la cámara: esférica Ø450 mm
• Bombas de vacío: mecánica + bomba molecular
• Vacío último: ≤ 6,67×10⁻⁶ Pa (post horneado/desgasificación)
• Recuperación a 5×10⁻³ Pa: ~20 min (procedimiento estándar)
• Opciones de blanco: Ø60 mm o Ø25 mm, hasta 4 blancos, 5–60 rpm
• Manejo de muestras: muestras de 2 pulgadas, rotación continua 5–60 rpm
• Control de temperatura del sustrato: hasta 800℃ ±1℃
• Entrada de gas: control de flujo másico de canal único
• Escaneo láser: escenario mecánico 2D
• Control del sistema: control integrado basado en PC
• Huella: unidad principal 1500×900 mm²; armario 700×700 mm²

Aplicaciones típicas

• I+D de películas superconductoras, semiconductoras y ferroeléctricas
• Preparación de muestras en pequeños lotes y producción de prototipos
• Estudios de materiales que requieren calefacción precisa y control de atmósfera gas/vacío
• Depósito de películas y experimentos de recubrimiento asistido por láser a escala de laboratorio