Máquina de deposición por pulverización catódica con magnetrón DXJ-450D

de metalización

El sistema de sputtering magnetrón de cámara única DXJ-450D está diseñado para la investigación y la preparación en pequeñas series de materiales de películas delgadas avanzadas a escala nanométrica, monocapa y multicapa, incluyendo recubrimientos duros, películas metálicas, semiconductoras y dieléctricas; apto para universidades e institutos de investigación.

Composición

• El sistema consta principalmente de cámara de vacío de sputtering, dianas magnetrón, placa de calentamiento de sustrato refrigerada por agua, circuito de gas de trabajo, sistema de bombeo, medición de vacío, sistema de control electrónico y gabinete de instalación.

Índice técnico

• Modelo: DXJ-450D
• Tamaño de la cámara de vacío: cámara cilíndrica Ø450 × 350 mm
• Configuración del sistema de vacío: bomba molecular compuesta, bomba mecánica, válvula deslizante
• Presión final: ≤ 6.67×10⁻⁵ Pa (después de horneado y desgasificado)
• Tiempo de recuperación de vacío: alcanza 6.6×10⁻⁴ Pa en 40 min (tras breve exposición al aire y purga con cloro seco antes del vacío)
• Composición de las dianas magnetrón permanentes: tres dianas permanentes, Ø60 mm (una puede sputterizar material magnético); compatibles RF y CC; las tres dianas pueden inclinarse sobre el centro de la muestra; distancia diana-muestra ajustable 90–110 mm (sputtering hacia arriba 40–80 mm)
• Sistema de sustrato: placa de calentamiento refrigerada por agua para un solo sustrato con calefacción y refrigeración independientes; horno de calentamiento extraíble para instalar la placa refrigerada
• Tamaño de muestra: Ø30 mm
• Modo de movimiento: el sustrato puede girar continuamente; velocidad 5–10 rpm
• Calefacción: temperatura máxima del sustrato 600°C ±1°C
• Polarización negativa del sustrato: -200 V
• Circuito de aire/gas: controladores de caudal másico, 2 canales
• Control por ordenador: controla la rotación de la muestra, el cambio de deflectores, la confirmación de la posición de las dianas, etc.
• Accesorios opcionales: placa rotatoria de 6 estaciones (sustituye la placa calefactada/refrigerada extraíble; admite seis sustratos Ø30 mm; una estación para horno; otras para refrigeración por agua o natural; temp. máx. substrato 600°C ±1°C)
• Área ocupada — unidad principal: 1300 × 800 mm²
• Área ocupada — armario de control eléctrico: 700 × 700 mm² (2 unidades)

Especificaciones técnicas

• Uso previsto: preparación de películas funcionales mono-/multicapa a escala nanométrica (duras, metálicas, semiconductoras, dieléctricas)
• Modelo: DXJ-450D
• Tamaño exterior de la cámara: Ø450 × 350 mm
• Vacío final: ≤ 6.67×10⁻⁵ Pa (post-horneado)
• Bombas estándar: bomba molecular compuesta + bomba mecánica con válvula deslizante
• Dianas: tres dianas magnetrón permanentes Ø60 mm, compatibles RF y CC
• Manipulación del sustrato: placa calefactada extraíble refrigerada por agua; muestra Ø30 mm; rotación 5–10 rpm; calentamiento hasta 600°C ±1°C; polarización negativa -200 V
• Control de gases: controladores de flujo másico de 2 canales
• Control: control informatizado para rotación, cambio de deflectores y posicionamiento de dianas
• Área: unidad principal 1300 × 800 mm²; armarios de control 700 × 700 mm² (dos unidades)