Sistema MBE MBE DXLMBE-450

El DXLMBE-450 es un sistema de epitaxia por haz molecular láser (MBE) de escala de laboratorio, diseñado para el desarrollo y la preparación en pequeñas series de materiales en capas delgadas complejos (cristales ópticos, ferroeléctricos, ferromagnéticos, superconductores y películas orgánicas). Soporta la fabricación de estructuras multicapa y superredes con componentes multi-elemento, de alto punto de fusión o que contienen gases, con control preciso de composición y proceso.

Composición

• Cámara de vacío principal (cámara de epitaxia y cámara de inyección de muestras)
• Mecanismo de inyección de muestras y sistema de transporte
• Portamuestras con conjunto de calentamiento y rotación del sustrato
• Plataforma giratoria de blancos (multi-blanco, cambio de blanco por rotación)
• Sistemas de evacuación y medida del vacío
• Equipo eléctrico, distribución y control por ordenador

Aplicaciones / Resumen
Diseñado para investigación científica y producción en pequeñas series en universidades e institutos de investigación, el DXLMBE-450 es adecuado para el crecimiento de películas multicapa complejas y superredes que requieren fuentes multi-elemento, de alto punto de fusión o con contenido gaseoso, y un control estricto del proceso.

Especificaciones técnicas

• Modelo: DXLMBE-450
• Cámara de vacío principal: esférica, Ø450 mm
• Cámara de inyección de muestras: cilíndrica, horizontal, Ø150 × 300 mm
• Configuración del sistema de vacío: Cámara principal — bomba mecánica, bomba molecular, bomba iónica, bomba de sublimación, válvulas; Cámara de inyección — bomba mecánica, bomba molecular, válvula
• Presión última: Cámara principal ≤ 5 × 10⁻⁸ Pa (tras horneado y desgasificación); Cámara de inyección ≤ 5 × 10⁻³ Pa (tras horneado y desgasificación)
• Tiempo de recuperación de vacío (hasta 5 × 10⁻³ Pa): Cámaras principal y de inyección — ≈20 min tras breve exposición al aire (con purga seca antes del vacío)
• Plataforma giratoria de blancos: tamaño máximo de blanco Ø70 mm; hasta 4 blancos; soporta rotación y revolución individuales; velocidad 5–60 rpm
• Placa calefactora para sustrato: diámetro de muestra Ø51 mm; rotación continua 5–60 rpm; temperatura máxima del sustrato 800 °C ± 1 °C
• Circuito de gases: controlador de flujo másico 1 canal; válvula angular todo metal 1 canal
• Opcionales: sistema RHEED (max 25 kV, max 100 μA) con monitorización de oscilaciones de intensidad/tasa de crecimiento (cámara, hardware y software)
• Escaneo del haz láser: etapa mecánica de escaneo 2D
• Generador de plasma de oxígeno y fuente de alimentación: opcional
• Control por ordenador: automatización de revolución/rotación de blancos, rotación de muestra, control de temperatura, escaneo láser y funciones relacionadas
• Espectrómetro de masas cuadrupolar: rango de masas 1–100
• Espacio en planta: Unidad principal 1300 × 850 mm²; armario de control eléctrico 700 × 700 mm² (2 unidades)