El equipo de crecimiento de películas de una sola capa atómica (DXALD) es un sistema de deposición por capas atómicas (ALD) diseñado para el crecimiento de películas delgadas preciso y controlable de metales, óxidos, carburos y diversos materiales semiconductores o superconductores, destinado a investigación y docencia en universidades e instituciones científicas.
El sistema ofrece parámetros de prueba flexibles, funcionamiento fiable y una interfaz hombre‑máquina fácil de usar para cumplir con requisitos complejos de recubrimiento en entornos de investigación y enseñanza.
DXALD está principalmente orientado a películas dieléctricas como óxidos conductores transparentes y Al2O3; ZnO se presenta como ejemplo de material depositado.
Índice técnico
Vacío final: 5 Pa
Tasa de fuga total: < 10^-8 Pa·L/s
Cámara de vacío:
Cavidad de vacío: cavidad de vacío
Material / estructura de la cámara: acero inoxidable soldado por arco de argón con tapa superior desmontable
Puerto de escape inferior: conectar a bomba de vacío en seco
Calentador de sustrato: sistema de calentamiento externo, rango de temperatura desde temperatura ambiente hasta 500 °C, continuo y ajustable
Tamaño de sustrato: Ø 50–100 mm
Uniformidad del espesor: para película de ZnO en Ø 100 mm, uniformidad de espesor < ±1%
Transporte de gas ALD / circuitos de gas:
Circuito de fuente líquida: personalizado
Circuito de fuente gaseosa: personalizado
Sistema de evacuación de vacío:
Bomba de vacío seca sin aceite bilateral: 1 juego
Conducción de vacío: 1 juego
Monitor de vacío: manómetro Pirani — rango de medida: 1,0×10^-5 Pa a 1×10^-2 Pa
Recopilación de datos e HMI: 1 juego
Sistema de control por ordenador / fuentes y controles:
Fuente de alimentación para calentamiento de muestras: 1 juego
Válvula de intercambio magnética: 1 juego
Fuente de alimentación de control principal: 1 juego
Carro de instalación: acero soldado, máscara de liberación rápida; ruedas con opción de fijación y movilidad
Tamaño del equipo (L×W×H): 600 × 600 × 1200 mm
Características / especificaciones técnicas
Serie de modelo: DXALD (Single Atomic Layer Film Growing Equipment)
Capacidad de vacío final: 5 Pa
Tasa de fuga: < 10^-8 Pa·L/s
Tamaño de sustrato compatible: Ø 50–100 mm
Rango del calentador de sustrato: temperatura ambiente a 500 °C (continuo, ajustable)
Evacuación de vacío: bomba de vacío en seco sin aceite (1 juego)
Huella típica: 600 × 600 × 1200 mm
Ejemplo de película objetivo y uniformidad: ZnO en Ø 100 mm, uniformidad de espesor < ±1%
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