Máquina de deposición por pulverización catódica con magnetrón DXJ-560S

de metalización

Visión general

El sistema de sputtering magnetrón con doble cámara piriforme DXJ-560S es una plataforma compacta para I+D y producción en pequeños lotes de películas delgadas: monocapas y multicapa funcionales a escala nanométrica, recubrimientos duros, películas metálicas, semiconductoras y dieléctricas. El sistema integra una cámara de vacío piriforme, múltiples dianas magnetrón, porta‑sustratos rotatorio refrigerado por agua, cámara de carga de muestras, horno de recocido y subsistemas completos de vacío, gases y control electrónico.

Composición

• Cámara principal de sputtering piriforme
• Dianas magnetrón permanentes (5 dianas, Ø60 mm)
• Portasustratos rotatorio refrigerado por agua (placa rotativa), 6 estaciones
• Cámara de inyección/carga de muestras y módulos de cámara de muestras
• Horno de recocido integrado
• Módulo de diana de enjuague trasero (backwash)
• Dispositivo magnético de transferencia de muestras
• Circuito de gas de trabajo con controladores de flujo másico
• Sistema de bombeo (bombas moleculares y mecánicas)
• Armario(s) de instalación/control
• Sistema de medida de vacío y control electrónico con interfaz informática

Especificaciones técnicas

• Modelo: DXJ-560S
• Cámara principal: Cámara piriforme Ø560 × 350 mm
• Cámara de inyección: Cilíndrica horizontal Ø250 × 420 mm
• Configuración de vacío: Unidades de bomba molecular y bomba mecánica independientes para cámara principal y cámara de muestras
• Presión última (después de horneado y desgasificado): Cámara principal 6.67×10^-6 Pa; Cámara de muestras ≤6.67×10^-4 Pa
• Tiempo de recuperación de vacío (tras breve exposición al aire y purga seca): Cámara principal a 6.6×10^-4 Pa en ~40 min; Cámara de muestras a 6.6×10^-3 Pa en ~40 min
• Dianas magnetrón: Cinco dianas permanentes Ø60 mm (una apta para material magnético); compatible con sputtering RF y DC; distancia objetivo‑muestra ajustable 40–80 mm
• Portasustratos: 6 estaciones (una estación para el módulo calefactor), acepta sustratos Ø30 mm hasta 6 piezas
• Movimiento: Rotación 0–360° adelante/atrás
• Calentamiento de substrato (porta): Máx. 600 ℃ ±1 ℃
• Polarización negativa del substrato: −200 V
• Circuito de gases: Controladores de flujo másico, 2 canales
• Módulos de cámara de muestras: Carga de muestras (6 muestras por carga), horno de recocido (temp. máx. substrato 800 ℃ ±1 ℃), módulo backwash
• Transferencia magnética: Para mover muestras entre cámara de sputtering y cámara de muestras
• Control por ordenador: Controla rotación de muestra, compuertas y confirmación de posición de dianas
• Espacio requerido: Equipo principal 2600 × 900 mm²
• Armarios eléctricos: 700 × 700 mm² (2 unidades)

Aplicaciones

• I+D en laboratorio para películas finas y recubrimientos multicapa
• Prototipado y producción en pequeños lotes de recubrimientos ópticos, electrónicos, semiconductores y protectores
• Deposición de películas duras, metálicas, dieléctricas y magnéticas

Opciones y servicios

• Modos RF/DC y configuraciones de dianas personalizables
• Adaptación a otros tamaños de sustrato o sujeciones bajo demanda
• Actualizaciones opcionales de vacío, bombas y paquete de gases
• Instalación, puesta en marcha y formación de operadores disponibles

Control e implantación

• Control informático integrado para reproducibilidad de procesos
• Monitorización de vacío, flujos de gas y temperatura del substrato
• Huella compacta para entornos de laboratorio; equipo principal 2600 × 900 mm²