MOSFET de carburo de silicio SCT4020DTW

SiCde alta velocidadresistencia de alta tensión

Descripción general
Este producto es un MOSFET de Carburo de Silicio (SiC) en encapsulado TSC3PAK para montaje superficial con estructura de disipación térmica por la parte superior. La superficie de disipación en la parte superior permite el montaje SMT automatizado y ofrece un rendimiento térmico comparable a los encapsulados de paso. La estructura de ranura propietaria de ROHM asegura una distancia de fuga de 6,66 mm, soportando picos de tensión AC de 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. El dispositivo emplea la 4ª generación (trench) de MOSFET SiC de ROHM para obtener baja resistencia ON y conmutación de alta velocidad, reduciendo pérdidas de conmutación y mejorando la eficiencia en circuitos de conversión de potencia. Aplicaciones típicas: cargadores embarcados y compresores eléctricos en xEV, inversores fotovoltaicos y fuentes de alimentación para servidores.

Puntos clave

• MOSFET SiC SMD en TSC3PAK con disipación térmica por la parte superior.
• Ranura ROHM que garantiza distancia de fuga mínima de 6,66 mm para 1200 V AC pico (grado de contaminación 2).
• 4ª Gen (Trench): baja Rds(on) y conmutación rápida.

Características

• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm
• Baja resistencia en conducción (typ. 20 mΩ)
• Alta velocidad de conmutación y recuperación inversa rápida
• Fácil paralelado y requisitos de conducción simples
• Recubrimiento de soldadura sin plomo; conforme a RoHS

Embalaje / Especificaciones

• Referencia: SCT4020DTWTCR
• Estado: Recommended
• Encapsulado: TSC3PAK (disipación superior)
• Tipo de embalaje: Taping
• Cantidad por carrete: 600
• RoHS: Sí
• MSL: 1

Aplicaciones

• Cargadores embarcados y compresores eléctricos en xEV (STANDARD GRADE — no recomendado para aplicaciones automotrices críticas para la seguridad)
• Inversores PV y fuentes de alimentación para servidores

Documentos y modelos (seleccionados)

• Datasheet disponible
• Modelos de simulación SPICE / PLECS / PSIM disponibles

Características / especificaciones técnicas

• Tensión drenaje‑fuente: 750 V
• Resistencia en conducción (Typ.): 20 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenaje: 69 A
• Disipación de potencia total: 208 W
• Temperatura de unión (Max.): 175 °C
• Temperatura de almacenamiento: -40 °C a 175 °C
• Tamaño del encapsulado: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)