MOSFET resistencia de alta tensión SCT4013DTW

SiCde alta velocidadde carburo de silicio

Descripción general Este MOSFET SiC se suministra en el paquete SMD de 9 pines TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) con disipación térmica en la parte superior. El diseño del paquete permite el montaje automático en superficie proporcionando una disipación térmica comparable a paquetes de orificio pasante de la clase TO‑247. Una estructura de ranura propietaria ofrece una distancia de fuga mínima de 6,66 mm, soportando picos de tensión AC de hasta 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. El dispositivo utiliza la tecnología SiC MOSFET Trench de 4.ª generación de ROHM para lograr bajo RDS(on) y conmutación de alta velocidad, reduciendo pérdidas de conmutación y mejorando la eficiencia de conversión.

Características

• Ancha distancia de fuga: min. 6,66 mm (soporta pico AC 1200 V, contaminación grado 2)
• Baja resistencia en conducción (Typ. RDS(on) 13 mΩ)
• Alta velocidad de conmutación y reducción de pérdidas
• Recuperación inversa rápida
• Fácil operación en paralelo
• Requisitos de circuito de puerta sencillos
• Chapado sin Pb; conforme a RoHS

Aplicaciones

• Cargadores embarcados (OBC) y compresores eléctricos en xEV
• Inversores fotovoltaicos y conversión de energía renovable
• Fuentes de alimentación para servidores y equipos industriales que requieren conversión de potencia de alta eficiencia

Identificadores del producto / Embalaje Número de pieza | SCT4013DTWTCR
Estado | Recomendado
Paquete | TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
Tipo de embalaje | Taping
Cantidad por unidad | 600
Cantidad mínima | 600
RoHS | Sí
MSL | 1

Especificaciones técnicas

• Modelo: SCT4013DTW
• Tensión Drain‑Source (Vds): 750 V
• Resistencia en conducción (Typ.) RDS(on): 13 mΩ
• Generación / Estructura: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (Id): 102 A
• Disipación de potencia total: 294 W
• Temperatura de unión (Máx.): 175 °C
• Temperatura de almacenamiento: -40 °C a 175 °C
• Tamaño del paquete: 14,0 × 18,58 mm (t ≈ 3,625 mm)
• Tipo de paquete: 9 pines SMD, TSC3PAK con disipación térmica superior
• Distancia de fuga: min. 6,66 mm (estructura de ranura ROHM)
• Aplicaciones objetivo: cargadores embarcados xEV, compresores eléctricos, inversores PV, fuentes para servidores