MOSFET de carburo de silicio SCT4045DTW

para aplicaciones automovilísticasresistencia de alta tensiónSiC

Descripción general
Este MOSFET SiC (modelo SCT4045DTW) se suministra en el encapsulado TSC3PAK para montaje superficial con una estructura de disipación térmica por la cara superior que permite el montaje automatizado y ofrece una disipación comparable a la de encapsulados through-hole convencionales. La estructura de ranura propietaria de ROHM asegura una distancia de fuga mínima de 6,66 mm, soportando picos de tensión AC de hasta 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. El dispositivo incorpora la 4.ª generación de SiC MOSFET de ROHM para conseguir bajo RDS(on) y conmutación de alta velocidad, mejorando la eficiencia de conversión de potencia.

Características principales

• Estructura de disipación superior para encapsulado SMD con rendimiento térmico comparable a tipos through-hole
• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm (soporta 1200 V pico AC en contaminación grado 2)
• Baja resistencia en conducción drain-source (RDS(on))
• Conmutación de alta velocidad
• Recuperación inversa rápida
• Fácil operación en paralelo
• Requisitos de control de puerta sencillos
• Recubrimiento de pines sin Pb; conforme a RoHS

Ejemplos de aplicación

• Cargadores a bordo (OBC) y compresores eléctricos en xEV
• Inversores fotovoltaicos
• Fuentes de alimentación para servidores y equipos industriales de alta eficiencia

Información de encapsulado y referencia

• Número de pieza (paquete): SCT4045DTWTCR
• Encapsulado: TSC3PAK (montaje superficial)
• Tipo de embalaje: Taping
• Cantidad por paquete: 600
• Cantidad mínima por pedido: 600
• RoHS: Sí
• MSL: 1

Especificaciones técnicas

• Modelo (nombre comercial): SCT4045DTW
• Tensión drain-source (VDS): 750 V
• Resistencia en conducción drain-source (typ.) RDS(on): 45 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drain (ID): 33 A
• Disipación de potencia total: 106 W
• Temperatura máxima de unión: 175 °C
• Rango de temperatura de almacenamiento: -40 a 175 °C
• Tamaño del paquete (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)

Recursos de diseño

• Modelos SPICE/PLECS/PSIM, notas de aplicación y documentación térmica/packaging disponibles para soportar el diseño térmico, el paralelado y la validación de la unidad de control de puerta