MOSFET para aplicaciones automovilísticas SCT4026DTW

de carburo de silicioSiCde alta velocidad

Resumen
El SCT4026DTWTCR es un MOSFET SiC Trench de 4.ª generación en un paquete TSC3PAK con disipación térmica por la parte superior. El paquete sitúa la superficie de disipación en la cara superior, permitiendo el montaje SMT automatizado y ofreciendo un rendimiento térmico comparable al de paquetes de orificio pasante. Una ranura propietaria asegura una distancia de fuga mínima de 6,66 mm, soportando picos de tensión AC de hasta 1200 V en entornos de Contaminación Grado 2. El dispositivo presenta baja RDS(on) y conmutación rápida para reducir las pérdidas de conmutación en conversiones de potencia.

Aplicaciones

• Cargadores embarcados (OBC) y compresores eléctricos para xEV
• Inversores fotovoltaicos (PV)
• Fuentes de alimentación para servidores y centros de datos

Encapsulado / Embalaje
Número de pieza | SCT4026DTWTCR
Estado | Recommended
Encapsulado | TSC3PAK (disipación superior)
Tipo de embalaje | Taping
Cantidad por unidad | 600
Cantidad mínima | 600
RoHS | Sí
MSL | 1

Características clave

• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm (estructura de ranura)
• Disipación por la parte superior (TSC3PAK) para montaje SMT automatizado con rendimiento térmico comparable a paquetes through‑hole
• Baja resistencia ON (RDS(on) típico 26 mΩ)
• Conmutación de alta velocidad y recuperación inversa rápida
• Fácil paralelado para aumentar la capacidad de corriente
• Sencillo de conducir a nivel de puerta
• Chapado sin plomo; conforme a RoHS

Notas adicionales
La disipación por la parte superior y el diseño de ranura permiten márgenes de aislamiento seguros y mayor fiabilidad en aplicaciones de alta tensión, reduciendo a la vez los costes de montaje mediante procesos SMT automatizados. Producto de grado estándar; comprobar la idoneidad para aplicaciones críticas o requisitos automotrices antes de su uso.

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: SCT4026DTWTCR
• Tensión drenador‑fuente (VDS): 750 V
• Resistencia en conducción drenador‑fuente (RDS(on), Typ.): 26 mΩ
• Corriente de drenador (ID): 54 A
• Disipación de potencia total: 163 W
• Temperatura de juntura (Max.): 175 °C
• Temperatura de almacenamiento: -40 °C a 175 °C
• Encapsulado: TSC3PAK (disipación superior)
• Tamaño del encapsulado: 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)
• Distancia de fuga: 6.66 mm (soporta 1200 V AC pico en contaminación grado 2)
• Generación: 4th Gen (Trench) SiC MOSFET
• Cantidad por cinta: 600
• Cantidad mínima por paquete: 600
• RoHS: Sí
• MSL: 1