MOSFET de carburo de silicio SCT4026DTWHR

resistencia de alta tensiónpara aplicaciones automovilísticasSiC

Descripción del producto
Este dispositivo es un MOSFET SiC en encapsulado TSC3PAK con estructura de disipación superior. Al situar la superficie de disipación térmica en la parte superior del paquete, TSC3PAK logra un rendimiento térmico comparable al de los encapsulados con orificio pasante tradicionales, manteniendo la compatibilidad con montaje en superficie. Una estructura de ranura propietaria asegura una distancia de fuga de 6,66 mm, soportando hasta 1200 V pico AC en entornos de contaminación grado 2. La tecnología SiC Trench de 4.ª generación proporciona baja resistencia RDS(on) y conmutación rápida, mejorando la eficiencia en circuitos de conversión de potencia.

Características

• Calificado AEC-Q101 (grado automotriz)
• Gran distancia de fuga: min. 6,66 mm
• Baja resistencia en conducción (RDS(on), típico 26 mΩ)
• Características de conmutación rápidas
• Recuperación inversa rápida
• Fácil de paralelizar
• Fácil de controlar
• Recubrimiento de terminales sin plomo; conforme a RoHS

Paquete / disipación térmica / fiabilidad
El encapsulado TSC3PAK con diseño de disipación superior permite el montaje superficial a la vez que ofrece una disipación térmica comparable a los encapsulados through-hole. La estructura de ranura garantiza una distancia de fuga de 6,66 mm y soporta 1200 V pico AC en contaminación grado 2, posibilitando un diseño de aislamiento más seguro y una mayor fiabilidad en aplicaciones de alta tensión.

Aplicaciones recomendadas

• Cargadores a bordo (OBC) para xEV
• Compresores eléctricos (E-Comp) en xEV
• Inversores fotovoltaicos (PV)
• Fuentes de alimentación para servidores / PSU de centros de datos

Características / Especificaciones técnicas

• Número de pieza: SCT4026DTWHRTCR
• Estado: Recomendado
• Encapsulado: TSC3PAK
• Embalaje: Taping
• Unidades por carrete: 600
• Cantidad mínima de pedido: 600
• RoHS: Sí
• MSL: 1
• Tensión drain-source (V): 750 V
• Resistencia en conducción drain-source (Typ.) (mΩ): 26 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (A): 54 A
• Disipación de potencia total (W): 163 W
• Temperatura de unión (Max.) (°C): 175 °C
• Temperatura de almacenamiento (Min./Max.) (°C): -40 / 175 °C
• Tamaño del paquete [mm]: 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Distancia de fuga: min. 6.66 mm (estructura de ranura)
• Norma: AEC-Q101 (Automotive Grade)