MOSFET de carburo de silicio SCT4018KTW

SiCpara aplicaciones automovilísticasresistencia de alta tensión

Descripción general
Este producto es un MOSFET SiC en paquete TSC3PAK. Mediante una estructura de disipación térmica en la cara superior que sitúa la superficie de disipación en la parte superior del paquete, el producto permite el montaje automatizado a la vez que consigue un rendimiento de disipación comparable al de los paquetes convencionales de orificio pasante. El paquete incorpora la estructura de ranura propietaria de ROHM para asegurar una distancia de fuga de 6,66 mm, lo que permite soportar un voltaje pico AC de 1200 V en un entorno de Grado de Contaminación 2, manteniendo la compatibilidad con productos ampliamente adoptados en el mercado. El producto integra el MOSFET SiC de 4ª generación de ROHM, logrando baja resistencia de encendido y características de conmutación de alta velocidad, lo que reduce las pérdidas de conmutación en la conversión de potencia y contribuye a una mayor eficiencia y menor consumo.

Paquete / Enfoque técnico
Paquete para montaje superficial TSC3PAK con disipación térmica en la cara superior; estructura de ranura para asegurar una amplia distancia de fuga (mín. 6,66 mm) que permite soportar un voltaje pico AC de 1200 V en entornos de Grado de Contaminación 2. Diseñado para combinar el rendimiento de disipación comparable a los paquetes de orificio pasante con las ventajas del montaje automatizado.

Características

• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm
• Baja resistencia RDS(on) (Typ. 18 mΩ)
• Alta velocidad de conmutación
• Recuperación inversa rápida
• Fácil de poner en paralelo
• Sencillo de conducir
• Recubrimiento de plomo sin Pb; conforme a RoHS

Ejemplos de aplicación

• Cargadores a bordo y compresores eléctricos en xEV
• Inversores fotovoltaicos (PV)
• Fuentes de alimentación para servidores
• Equipos industriales que requieren conversión de potencia de alta eficiencia

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: SCT4018KTWTCR
• Modelo: SCT4018KTW
• Tensión drenador-fuente (V): 1200
• Resistencia en conducción drenador-fuente (Typ.) (mΩ): 18
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (A): 79
• Disipación de potencia total (W): 294
• Temperatura de unión (Máx.) (°C): 175
• Temperatura de almacenamiento (Min./Máx.) (°C): -40 / 175
• Paquete: TSC3PAK (disipación superior)
• Tamaño del paquete (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Tipo de embalaje: Taping
• Cantidad por unidad: 600
• Cantidad mínima por paquete: 600
• RoHS: Sí
• MSL: 1