Descripción generalEl SCT4065DTWHR es un MOSFET SiC en paquete TSC3PAK para montaje superficial, diseñado para conversión de potencia de alta tensión. El paquete dispone de una estructura de disipación térmica superior que sitúa la superficie de refrigeración en la parte superior del encapsulado, lo que permite el montaje automatizado y ofrece un rendimiento térmico equivalente al de los paquetes through-hole. El diseño de ranura propietario de ROHM asegura una distancia de fuga de 6,66 mm, soportando picos de tensión AC de hasta 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. El dispositivo presenta baja resistencia RDS(on) y conmutación rápida, reduciendo pérdidas de conmutación y mejorando la eficiencia y la fiabilidad del sistema.
Características clave- Calificado AEC-Q101 (grado automoción)
- Amplia distancia de fuga: mín. 6,66 mm (soporta 1200 V AC pico en grado de contaminación 2)
- Baja resistencia Drain-Source en conducción (RDS(on) típ. 65 mΩ)
- Conmutación rápida y reducción de pérdidas de conmutación
- Recuperación inversa rápida
- Fácil de paralelizar para aumentar capacidad de corriente
- Requisitos de conducción de puerta sencillos
- Chapado de pines sin plomo; conforme a RoHS
Paquete y aspectos mecánicos- Paquete TSC3PAK para montaje superficial con disipación por la parte superior, ofreciendo rendimiento térmico comparable a paquetes through-hole y permitiendo ensamblaje automatizado
- Estructura de ranura de ROHM que asegura la distancia de fuga (6,66 mm) para un diseño de aislamiento robusto en aplicaciones de alta tensión
- Dimensiones del paquete optimizadas para alto rendimiento térmico y diseños de montaje superficial compactos (14,0 × 18,58 mm, espesor ≈ 3,625 mm)
Aplicaciones- Automoción: cargadores a bordo (OBC), compresores eléctricos
- Inversores fotovoltaicos
- Fuentes de alimentación de alto rendimiento para servidores y telecomunicaciones
Especificaciones técnicas- Part Number: SCT4065DTWHRTCR
- Modelo: SCT4065DTWHR
- Brand: ROHM
- Tensión Drain-Source (Vds): 750 V
- Resistencia ON Drain-Source (Típ.): 65 mΩ
- Generación: 4th Gen (Trench)
- Corriente de drenador (Id): 24 A
- Potencia total disipada: 81 W
- Temperatura de juntura (Max.): 175 °C
- Rango de temperatura de almacenamiento: -40 a 175 °C
- Paquete: TSC3PAK (montaje superficial con superficie de disipación superior)
- Tamaño del paquete: 14,0 x 18,58 mm (t = 3,625 mm)
- Tipo de embalaje: Taping
- Cantidad por unidad: 600 (cantidad mínima: 600)
- RoHS: Yes
- MSL: 1