MOSFET SiC SCT4036DTWHR

resistencia de alta tensiónde alta velocidadpara aplicaciones automovilísticas

Descripción general
Este MOSFET SiC en encapsulado TSC3PAK para montaje superficial integra una estructura de disipación térmica por la cara superior que permite el montaje automatizado a la vez que ofrece un rendimiento térmico comparable al de encapsulados pasantes. Una ranura patentada asegura una distancia de fuga mínima de 6,66 mm, permitiendo admitir un pico de tensión AC de 1200 V en entornos de grado de contaminación 2. La tecnología SiC de 4ª generación de ROHM proporciona bajo RDS(on) y conmutación de alta velocidad para reducir pérdidas de conmutación y mejorar la eficiencia en circuitos de potencia.

Características

• Calificado AEC-Q101 (automoción)
• Amplia distancia de fuga: mín. 6,66 mm (ranura propietaria)
• Baja resistencia en conducción (RDS(on) baja)
• Conmutación rápida y recuperación inversa rápida
• Fácil de conectar en paralelo y control sencillo
• Recubrimiento de patillas sin plomo; conforme RoHS

Especificaciones (resumen)

• Número de pieza: SCT4036DTWHRTCR
• Tensión drenaje-fuente: 750 V
• Resistencia en conducción drenaje-fuente (típ.): 36 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenaje (referencia): 40 A
• Disipación de potencia total: 128 W
• Temperatura máxima de unión: 175 °C
• Rango de temperatura de almacenamiento: -40 a 175 °C
• Encapsulado: TSC3PAK (disipación térmica por la cara superior)
• Tamaño del encapsulado: 14.0 x 18.58 mm (t ≈ 3.625 mm)
• Tipo de embalaje: Taping; cantidad por carrete: 600; cantidad mínima por paquete: 600
• RoHS: Sí; MSL: 1

Aplicaciones

• Cargadores embarcados (OBC) para xEV
• Compresores eléctricos para xEV
• Inversores fotovoltaicos
• Fuentes de alimentación para servidores de alto rendimiento