MOSFET de alta velocidad SCT4013DTWHR

resistencia de alta tensiónSiCpara aplicaciones automovilísticas

Descripción general Este MOSFET SiC en encapsulado TSC3PAK para montaje superficial sitúa la superficie de disipación térmica en la parte superior del paquete, consiguiendo un rendimiento térmico comparable al de los paquetes through‑hole y permitiendo el montaje automatizado. La estructura de ranura propietaria de ROHM garantiza una distancia de fuga mínima de 6,66 mm, permitiendo soportar picos AC de 1200 V en entornos de contaminación grado 2. El dispositivo presenta baja resistencia ON y conmutación rápida, reduciendo pérdidas de conmutación y mejorando la eficiencia en circuitos de conversión de potencia.

Antecedentes de desarrollo La adopción de SiC se está expandiendo desde los inversores principales hacia circuitos de conversión auxiliares (por ejemplo, cargadores a bordo y compresores eléctricos) para mejorar la velocidad de carga y la autonomía. Los dispositivos SiC de alto rendimiento térmico han utilizado tradicionalmente paquetes through‑hole, menos compatibles con el montaje automatizado y los diseños de bajo perfil. Este producto ofrece rendimiento térmico equivalente al through‑hole en un formato SMD, facilitando el montaje automatizado y diseños de menor perfil sin sacrificar la capacidad térmica.

Ejemplos de aplicación

• Automoción: cargadores a bordo (OBC), compresores eléctricos
• Inversores fotovoltaicos
• Fuentes de alimentación para servidores

Características

• Calificado según AEC‑Q101 (grado automotriz)
• Amplia distancia de fuga: min. 6,66 mm (estructura de ranura)
• Encapsulado TSC3PAK con disipación por la parte superior para montaje automatizado
• Baja resistencia RDS(on)
• Alta velocidad de conmutación
• Recuperación inversa rápida
• Fácil conexión en paralelo
• Requisitos de conducción sencillos
• Recubrimiento de terminales sin Pb; conforme a RoHS

Especificaciones de la pieza (resumen) Número de pieza: SCT4013DTWHRTCR
Estado: Recomendado
Encapsulado: TSC3PAK
Tipo de embalaje: Taping
Cantidad por unidad: 600
Cantidad mínima por paquete: 600
RoHS: Sí
MSL: 1

Especificaciones técnicas

• Tensión drenador‑fuente (V): 750 V
• Resistencia de conducción drenador‑fuente (Tip.) (mΩ): 13 mΩ
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (A): 102 A
• Disipación de potencia total (W): 294 W
• Temperatura de unión (Max.) (°C): 175 °C
• Temperatura de almacenamiento (Min./Max.) (°C): -40 / 175
• Tamaño del paquete (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Estándar: AEC‑Q101 (grado automotriz)
• Amplia distancia de fuga permite pico AC 1200 V en Pollution Degree 2